[发明专利]一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910581456.4 | 申请日： | 2019-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110364419B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;陈德润;谢欣灵;赖书浩 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 二维 ingase 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种生长在Si衬底上的二维InGaSe的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)使用无水乙醇清洗Si衬底，再使用干燥氩气吹净，使外延生长面光滑无尘，得到清洗后的衬底；
(2)取两个坩埚，将Se粉加入第一坩埚，将In颗粒和Ga颗粒加入第二坩埚中，将第一坩埚放入CVD玻璃管的第一温区中，将第二坩埚放入CVD玻璃管的第二温区中，将步骤(1)所述清洗后的衬底放在第二坩埚的正上方，然后将CVD玻璃管抽真空处理；所述Se粉与In颗粒的质量比为0.75-1.5：1；所述In颗粒与Ga颗粒的质量比为0.2-0.4：1；
(3)向CVD玻璃管中通入氩气，加热，恒温生长处理，恒温生长处理的时间为11-30min，然后降温使CVD玻璃管的温度为60-70℃，取出样品，得到所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料；所述氩气的流量为30-50sccm，所述加热的时间为40-60min，加热后的第一温区温度为120-180℃，加热后的第二温区的温度为750-850℃，所述恒温生长处理的过程中，玻璃管内的气压保持在5pa以下。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述外延生长面为(111)面、(110)面或(100)面。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述抽真空处理，是使抽真空后的CVD玻璃管内的气压为5pa以下。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料的厚度为10-20nm。
5.一种由权利要求1-4任一项所述的制备方法制得的生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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