[发明专利]一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910581456.4 申请日: 2019-06-29
公开(公告)号: CN110364419B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 王文樑;李国强;陈德润;谢欣灵;赖书浩 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;C23C16/30
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;冯振宁
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 si 衬底 二维 ingase 纳米 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种生长在Si衬底上的二维InGaSe的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)使用无水乙醇清洗Si衬底,再使用干燥氩气吹净,使外延生长面光滑无尘,得到清洗后的衬底;

(2)取两个坩埚,将Se粉加入第一坩埚,将In颗粒和Ga颗粒加入第二坩埚中,将第一坩埚放入CVD玻璃管的第一温区中,将第二坩埚放入CVD玻璃管的第二温区中,将步骤(1)所述清洗后的衬底放在第二坩埚的正上方,然后将CVD玻璃管抽真空处理;所述Se粉与In颗粒的质量比为0.75-1.5:1;所述In颗粒与Ga颗粒的质量比为0.2-0.4:1;

(3)向CVD玻璃管中通入氩气,加热,恒温生长处理,恒温生长处理的时间为11-30min,然后降温使CVD玻璃管的温度为60-70℃,取出样品,得到所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料;所述氩气的流量为30-50sccm,所述加热的时间为40-60min,加热后的第一温区温度为120-180℃,加热后的第二温区的温度为750-850℃,所述恒温生长处理的过程中,玻璃管内的气压保持在5pa以下。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述外延生长面为(111)面、(110)面或(100)面。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述抽真空处理,是使抽真空后的CVD玻璃管内的气压为5pa以下。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料的厚度为10-20nm。

5.一种由权利要求1-4任一项所述的制备方法制得的生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料。

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