[发明专利]一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法有效
申请号: | 201910581456.4 | 申请日: | 2019-06-29 |
公开(公告)号: | CN110364419B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 王文樑;李国强;陈德润;谢欣灵;赖书浩 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C16/30 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;冯振宁 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生长 si 衬底 二维 ingase 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种生长在Si衬底上的二维InGaSe的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)使用无水乙醇清洗Si衬底,再使用干燥氩气吹净,使外延生长面光滑无尘,得到清洗后的衬底;
(2)取两个坩埚,将Se粉加入第一坩埚,将In颗粒和Ga颗粒加入第二坩埚中,将第一坩埚放入CVD玻璃管的第一温区中,将第二坩埚放入CVD玻璃管的第二温区中,将步骤(1)所述清洗后的衬底放在第二坩埚的正上方,然后将CVD玻璃管抽真空处理;所述Se粉与In颗粒的质量比为0.75-1.5:1;所述In颗粒与Ga颗粒的质量比为0.2-0.4:1;
(3)向CVD玻璃管中通入氩气,加热,恒温生长处理,恒温生长处理的时间为11-30min,然后降温使CVD玻璃管的温度为60-70℃,取出样品,得到所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料;所述氩气的流量为30-50sccm,所述加热的时间为40-60min,加热后的第一温区温度为120-180℃,加热后的第二温区的温度为750-850℃,所述恒温生长处理的过程中,玻璃管内的气压保持在5pa以下。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述外延生长面为(111)面、(110)面或(100)面。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述抽真空处理,是使抽真空后的CVD玻璃管内的气压为5pa以下。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料的厚度为10-20nm。
5.一种由权利要求1-4任一项所述的制备方法制得的生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910581456.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造