[发明专利]壳体组件、天线装置及电子设备

权利要求书

1.一种壳体组件，其特征在于，包括：

介质基板，所述介质基板对预设频段的射频信号具有第一透过率；

阻抗匹配层，所述阻抗匹配层与所述介质基板层叠设置，所述阻抗匹配层用于对所述预设频段的射频信号进行空间阻抗匹配；

耦合结构，所述耦合结构与所述介质基板层叠设置，所述耦合结构包括多层耦合元件阵列层，其中，所述耦合结构包括间隔设置的第一耦合元件阵列层及第二耦合元件阵列层，所述第一耦合元件阵列层及所述第二耦合元件阵列层均为正方形贴片，所述第一耦合元件阵列层具有通孔，所述第二耦合元件阵列层在所述第一耦合元件阵列层上的投影位于所述通孔内，所述耦合元件阵列层包括多个阵列设置的耦合元件，所述耦合元件由导电材料制成，所述耦合元件阵列层具有在所述预设频段下的谐振特征，所述预设频段的射频信号在所述耦合元件阵列层产生二次谐振；

所述壳体组件在所述耦合结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。

2.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述阻抗匹配层位于所述介质基板的一侧，所述耦合结构位于所述阻抗匹配层背离所述介质基板的一侧；或，所述耦合结构位于所述介质基板的一侧，所述阻抗匹配层位于所述耦合结构背离所述介质基板的一侧。

3.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述耦合元件阵列层还具有在所述预设频段下的双极化谐振特征。

4.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述阻抗匹配层包括第一匹配层和第二匹配层，所述第一耦合元件阵列层位于所述介质基板的表面，所述第一匹配层位于所述第一耦合元件阵列层背离所述介质基板的一侧，所述第一匹配层用于将所述第一耦合元件阵列层连接于所述介质基板，且用于对所述第一耦合元件阵列层形成封装和保护；所述第二耦合元件阵列层位于所述第一匹配层背离所述第一耦合元件阵列层的一侧，所述第二匹配层位于所述第二耦合元件阵列层背离所述第一匹配层的一侧，所述第二匹配层用于对所述第二耦合元件阵列层形成封装和保护。

5.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述阻抗匹配层包括第一匹配层、第二匹配层和第三匹配层，所述第一匹配层位于所述介质基板的表面，所述第一耦合元件阵列层位于所述第一匹配层背离所述介质基板的表面，所述第二匹配层位于所述第一耦合元件阵列层背离所述第一匹配层的一侧，所述第二耦合元件阵列层位于所述第二匹配层背离所述第一耦合元件阵列层的一侧，所述第三匹配层位于所述第二耦合元件阵列层背离所述第二匹配层的一侧，所述第三匹配层用于对所述第二耦合元件阵列层形成封装和保护。

6.如权利要求5所述的壳体组件，其特征在于，所述第一耦合元件阵列层和所述第二耦合元件阵列层分别位于所述第二匹配层相对的两侧，且所述第一耦合元件阵列层相对于所述第二耦合元件阵列层邻近所述介质基板设置。

7.如权利要求6所述的壳体组件，其特征在于，所述第一耦合元件阵列层在所述第二匹配层上的投影和所述第二耦合元件阵列层在所述第二匹配层上的投影至少部分不重叠。

8.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述通孔为圆形、椭圆形、正方形、三角形、长方形、六边形、环形、十字形或者耶路撒冷十字形。

9.如权利要求5所述的壳体组件，其特征在于，所述第一匹配层为胶体，所述第二匹配层为承载膜层，所述第三匹配层为胶体。

10.如权利要求7所述的壳体组件，其特征在于，所述第一耦合元件阵列层的边长为1.6mm，所述通孔为正方形的孔，且所述通孔的尺寸为1.3mm×1.3mm，所述第二耦合元件阵列层的边长为1.05mm，所述介质基板的厚度尺寸为0.55mm，所述第一匹配层的厚度尺寸为0.02mm，所述第二匹配层的厚度尺寸为0.45mm，所述第三匹配层的厚度尺寸为0.03mm。