[发明专利]激光器芯片的功率自校准方法在审
| 申请号： | 201910583734.X | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112186485A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 吕樟权 | 申请（专利权）人： | 南京孚翔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/10 | 分类号： | H01S3/10;H01S5/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器 芯片 功率 校准 方法 | ||
1.激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于，它包含以下步骤：
步骤一、将设定模块、标准功率库、功率检测模块、校准模块均与激光器芯片进行电性连接；
步骤二、通过设定模块对标准功率库进行设定，设定一个标准功率校准值；
步骤三、打开激光器，功率检测模块实时对激光器进行功率检测，当激光器的实时功率不与标准功率校准值相同时，校准模块将对激光器实时功率进行粗校准；
步骤四、进行完粗校准后进行微校准，直至激光器实时功率与标准功率校准值一致。
2.根据权利要求1所述的激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于：所述步骤一中设定模块、标准功率库、功率检测模块、校准模块均与激光器芯片通过保护电路电性连接。
3.根据权利要求1所述的激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于：所述步骤一中设定模块、标准功率库、功率检测模块、校准模块分别利用程序进行编程设定。
4.根据权利要求1所述的激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于：所述步骤三中粗校准的范围值为0.5-0.9KW。
5.根据权利要求1所述的激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于：所述步骤四中微校准的范围值为0.1-0.5KW。
6.根据权利要求1所述的激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于：所述步骤三前对激光器进行试运行，检验是否工作正常。
7.根据权利要求2所述的激光器芯片的功率自校准方法，其特征在于：所述保护电路包含断电保护电路、漏电保护电路、防高压保护电路。
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