[发明专利]阵列基板和显示设备

说明书

本发明公开一种阵列基板和显示设备，其中，所述阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域包括第一公共电极、覆盖于所述第一公共电极的栅极绝缘层、间隔设于所述栅极绝缘层的的漏极和源极、钝化层、间隔设于所述钝化层的像素电极和第二公共电极；所述钝化层覆盖所述漏极和源极；所述像素电极贯穿所述钝化层电连接所述漏极；所述第二公共电极和所述漏极在所述栅极绝缘层上的投影至少部分重叠。本发明技术方案可在不减小开口率的情况下增大储存电容。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板和显示设备。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的液晶显示器一般包括彩膜基板(CF，Color Filter)、阵列基板(TFT，Thin Film Transistor)和夹设于两者之间的液晶层，液晶层不导电，故阵列基板和彩膜基板因各自的电极形成一个平行板电容器，即有了液晶电容，同时，为了降低液晶电容动态效应的不良影响，每个像素中设计了储存电容，储存电容一般是由像素电极与一个电位参考电极之间相交叠形成的，电位参考电极由金属电极制成。

目前的显示结构设计中，为了增大储存电容会需要尽可能地扩大金属电极与像素电极的交叠面积，从而减小了画素的开口率，使得显示效果不好。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种阵列基板，旨在改善像素结构，在不减小开口率的基础上增大储存电容。

为实现上述目的，本发明提出的阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域包括：

第一公共电极；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖于所述第一公共电极；

漏极和源极，所述漏极和源极间隔设于所述栅极绝缘层，所述漏极与所述第一公共电极在所述栅极绝缘层的投影至少部分重叠；

钝化层，所述钝化层覆盖所述漏极和源极；

像素电极，所述像素电极设于所述钝化层，并贯穿所述钝化层电连接所述漏极；及

第二公共电极，所述第二公共电极设于所述钝化层上，并与所述像素电极间隔设置，所述第二公共电极和所述漏极在所述栅极绝缘层上的投影至少部分重叠。

可选地，所述阵列基板还包括阵列基底，所述第一公共电极设于所述阵列基底上。

可选地，所述阵列基板还包括覆盖于所述阵列基底上的若干条栅极线和若干数据线，所述栅极线和数据线彼此交叉形成多个所述子像素区域。

可选地，所述漏极部分位于所述栅极线上，所述漏极向所述第一公共电极和像素电极的方向延伸有与所述第一公共电极相平行的电容部，所述源极与所述数据线电连接。

可选地，所述像素电极设有连接部，所述连接部与所述电容部的一端电连接，所述第二公共电极靠近所述电容部的另一端设置，并向所述连接部的方向延伸。

可选地，所述第二公共电极在垂直于其延伸方向上的宽度与所述电容部的宽度一致。

可选地，所述钝化层开设有开口，所述连接部穿过所述开口与所述电容部电连接。

可选地，所述钝化层开设有贯通的连接口，所述第二公共电极弯折通过所述连接口抵接所述栅极绝缘层。

本发明还提出一种阵列基板，所述阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域包括：

第一公共电极；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖于所述第一公共电极；