[发明专利]声波谐振器及其制造方法

说明书

本发明提供一种声波谐振器及其制造方法，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上顺序地堆叠有第一电极、压电层和第二电极的中央部和沿着所述中央部的外周设置的延伸部；以及第一金属层，设置在所述谐振部的外部，以电连接到所述第一电极。所述延伸部包括下插入层，所述下插入层设置在所述第一电极的上表面或所述第一电极的下表面上。所述压电层包括压电部和弯曲部，所述压电部设置在所述中央部中，所述弯曲部设置在所述延伸部中并且根据所述下插入层的形状而倾斜地从所述压电部延伸。所述下插入层利用导电材料形成，以使所述第一电极与所述第一金属层之间的电路径延伸。

本申请要求于2018年12月14日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0162063号韩国专利申请和于2019年2月8日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0014686号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种声波谐振器及其制造方法。

背景技术

随着无线通信装置变得越来越紧凑，对高频组件的小型化的需求日益增长。作为示例，滤波器以采用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器的形式提供。

体声波(BAW)谐振器是使用薄膜器件实现的滤波器，所述薄膜器件利用通过将压电介电材料沉积在作为半导体基板的硅晶圆上而获得的压电特性引起谐振。

体声波(BAW)谐振器的应用的示例包括移动通信装置、用于化学和生物装置的紧凑轻量的滤波器、振荡器、谐振元件、声学谐振质量传感器等。

正在研究各种结构形状和功能，以增强体声波谐振器的特性和性能。因此，还在不断地研究体声波谐振器的制造方法。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在下面的具体实施方式中进一步描述所选择的构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上顺序地堆叠有第一电极、压电层和第二电极的中央部和沿着所述中央部的外周设置的延伸部；以及第一金属层，设置在所述谐振部的外部，以电连接到所述第一电极。所述延伸部包括下插入层，所述下插入层设置在所述第一电极的上表面或所述第一电极的下表面上。所述压电层包括压电部和弯曲部，所述压电部设置在所述中央部中，所述弯曲部设置在所述延伸部中并且根据所述下插入层的形状而倾斜地从所述压电部延伸。所述下插入层利用导电材料形成，以使所述第一电极与所述第一金属层之间的电路径延伸。

所述声波谐振器还可包括：第二金属层，设置在所述谐振部的外部，以电连接到所述第二电极；以及上插入层，设置在所述延伸部中并且设置在所述第二电极的上表面或下表面上，并且使所述第二电极与所述第二金属层之间的电路径延伸。

所述第二电极可与所述第二金属层间隔开，并且所述第二电极可通过所述上插入层电连接到所述第二金属层。

所述声波谐振器还可包括：第三电极，设置在与所述第一电极相同的平面上，并且与所述第一电极间隔开。所述第二电极可通过所述第二金属层电连接到所述第三电极。

所述上插入层可与所述中央部和所述延伸部之间的边界间隔开。所述延伸部还可包括第一反射区域和第二反射区域，所述第一反射区域设置在所述边界与所述上插入层之间，所述第二反射区域设置在所述第一反射区域的外侧。所述上插入层和所述第二电极可一起设置在所述第二反射区域中。

所述下插入层可利用具有比所述压电层的声阻抗和所述第一电极的声阻抗低的声阻抗的材料形成。

所述压电层可利用氮化铝(AlN)形成。所述第一电极可利用钼(Mo)形成。所述下插入层可利用铝(Al)或铝(Al)合金形成。