[发明专利]有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法

说明书

一种有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法，有源矩阵基板具有薄膜晶体管，薄膜晶体管具有：栅极电极；隔着栅极绝缘层配置在栅极电极上的氧化物半导体层；以及配置在氧化物半导体层之上的源极电极和漏极电极，多个栅极总线和栅极电极由第1导电膜形成，多个源极总线各自的至少一部分、源极电极以及漏极电极具有包含由第2导电膜形成的下层和由第1透明导电膜形成的上层的层叠结构，在多个源极总线与栅极绝缘层之间配置有与氧化物半导体层由相同氧化物半导体膜形成的在第1方向上延伸的多个第1氧化物层，多个源极总线各自位于对应的第1氧化物层的上表面，多个源极总线各自的沿着第2方向的宽度比对应的1个第1氧化物层的沿着第2方向的宽度小。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法。

背景技术

有源矩阵型的液晶显示装置一般具备：按每个像素形成有薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；以下也称为“TFT”)作为开关元件的基板(以下称为“有源矩阵基板”)；形成有相对电极和彩色滤光片等的相对基板；设置在有源矩阵基板与相对基板之间的液晶层；以及用于对液晶层施加电压的一对电极。

在有源矩阵型的液晶显示装置中，根据其用途，已提出并采用各种动作模式。作为动作模式，可举出TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching：面内开光)模式、FFS(Fringe Field Switching：边缘场开光)模式等。

其中的TN模式、VA模式是通过夹着液晶层配置的一对电极对液晶分子施加电场的纵向电场方式的模式。IPS模式、FFS模式是在其中一个基板设置一对电极而对液晶分子在与基板面平行的方向(横向)上施加电场的横向电场方式的模式。在横向电场方式中，液晶分子不从基板立起，因此有与纵向电场方式相比能实现宽视角的优点。

近年来，提出了代替硅半导体而使用氧化物半导体来形成TFT的活性层。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。

例如专利文献1中公开了使用氧化物半导体TFT作为开关元件，制造FFS模式的液晶显示装置所使用的有源矩阵基板的工艺。在该制造工艺中，进行8次光刻工序(使用8张光掩模)(参照专利文献1的图6等)。这样，将需要8张光掩模的工艺称为“8张掩模工艺”。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/073635号

发明内容

发明要解决的问题

为了提高使用了氧化物半导体TFT的有源矩阵基板的生产性，要求进一步减少制造有源矩阵基板时所需的光掩模的张数，降低制造成本。另外，要求成品率良好地制造使用了氧化物半导体TFT的有源矩阵基板的工艺。

本发明的实施方式的目的在于提供生产性优异的有源矩阵基板。另外，其目的在于提供能降低制造成本和/或能提高成品率的有源矩阵基板的制造方法。

用于解决问题的方案

本说明书公开了以下的项目记载的有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法。

[项目1]一种有源矩阵基板，

具有：包含多个像素区域的显示区域；以及上述显示区域以外的非显示区域，

具备：

基板；