[发明专利]存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元在审

专利信息
申请号: 201910585014.7 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN110308876A 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 朱启傲;张静;王鑫;朱凯迪 申请(专利权)人: 合肥兆芯电子有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 230088 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 存储器存储装置 存储器控制电路 存储器管理 临界信息 写入操作 写入指令 非易失性存储器模块 可复写式 目标数据 信息更新 主机系统
【权利要求书】:

1.一种存储器管理方法,用于可复写式非易失性存储器模块,且所述存储器管理方法包括:

从主机系统接收第一写入指令;

根据所述第一写入指令指示所述可复写式非易失性存储器模块执行第一写入操作;

获得对应于所述第一写入操作的第一效能信息;以及

根据所述第一效能信息更新临界信息,其中所述临界信息用以决定目标数据的类型。

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述第一效能信息更新所述临界信息的步骤包括:

从所述主机系统接收第二写入指令;

根据所述第二写入指令指示所述可复写式非易失性存储器模块执行第二写入操作;

获得对应于所述第二写入操作的第二效能信息;以及

根据所述第一效能信息与所述第二效能信息更新所述临界信息。

3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述第一效能信息更新所述临界信息的步骤包括:

获得所述第一效能信息与第二效能信息之间的差值;以及

根据所述差值更新所述临界信息。

4.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其中根据所述差值更新所述临界信息的步骤包括:

若所述差值符合预设条件,提高所述临界信息的数值;以及

若所述差值不符合所述预设条件,降低所述临界信息的所述数值。

5.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述第一效能信息包括写入放大参数,且所述写入放大参数反映所述第一写入操作引起的写入放大比例。

6.根据权利要求1所述的存储器管理方法,还包括:

根据所述临界信息决定所述目标数据为第一类数据或第二类数据,其中所述第一类数据的数据更新频率不同于所述第二类数据的数据更新频率。

7.根据权利要求6所述的存储器管理方法,其中根据所述临界信息决定所述目标数据为所述第一类数据或所述第二类数据的步骤包括:

将所述目标数据的数据量与所述临界信息进行比较;

若所述目标数据的所述数据量小于所述临界信息,判定所述目标数据为所述第一类数据;以及

若所述目标数据的所述数据量不小于所述临界信息,判定所述目标数据为所述第二类数据。

8.根据权利要求6所述的存储器管理方法,其中根据所述临界信息决定所述目标数据为所述第一类数据或所述第二类数据的步骤包括:

将所述目标数据的逻辑范围与所述临界信息进行比较;

若所述目标数据的所述逻辑范围小于所述临界信息,判定所述目标数据为所述第一类数据;以及

若所述目标数据的所述逻辑范围不小于所述临界信息,判定所述目标数据为所述第二类数据。

9.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,所述多个实体单元包括第一实体单元与第二实体单元,且所述存储器管理方法还包括:

若所述目标数据为第一类数据,发送第一写入指令序列以指示将所述目标数据写入至所述第一实体单元;以及

若所述目标数据为第二类数据,发送第二写入指令序列以指示将所述目标数据写入至所述第二实体单元,

其中,所述第一实体单元不同于所述第二实体单元。

10.一种存储器存储装置,包括:

连接接口单元,用以连接至主机系统;

可复写式非易失性存储器模块;以及

存储器控制电路单元,连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块,

其中所述存储器控制电路单元用以从所述主机系统接收第一写入指令,

所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一写入指令指示所述可复写式非易失性存储器模块执行第一写入操作,

所述存储器控制电路单元还用以获得对应于所述第一写入操作的第一效能信息,并且

所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一效能信息更新临界信息,其中所述临界信息用以决定目标数据的类型。

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