[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一基板；

第一半导体芯片，其设置并安装在所述第一基板上；

中介层芯片，其位于所述第一半导体芯片上；

第一焊盘，其设置在所述中介层芯片上；

第二焊盘，其设置在所述中介层芯片上并与所述第一焊盘间隔开；以及

接合线，其电连接到所述第二焊盘和所述第一基板，

其中，所述第二焊盘通过所述中介层芯片电连接到所述第一焊盘，并且

所述中介层芯片具有大于所述第一半导体芯片的占用面积的占用面积。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中介层芯片具有在30 W/mK至2000W/mK的范围内的导热率。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：焊球，其位于所述第一焊盘上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中介层芯片完全覆盖所述第一半导体芯片的顶表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：基板焊盘，其位于所述第一基板上并且耦接到所述接合线，

其中，所述半导体封装件包括邻近所述半导体封装件的一侧的多个所述第一焊盘，并且包括邻近所述半导体封装件的所述一侧的多个所述基板焊盘，所述多个第一焊盘具有第一间距，所述多个第一焊盘在与所述半导体封装件的所述一侧平行的方向上以所述第一间距彼此隔开，所述多个基板焊盘具有第二间距，所述多个基板焊盘在与所述半导体封装件的所述一侧平行的方向上以所述第二间距彼此隔开，并且所述第一间距大于所述第二间距。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：模塑层，其位于所述第一基板和所述中介层芯片上，

其中，所述模塑层覆盖所述第二焊盘但不覆盖所述第一焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

上封装件，其位于所述中介层芯片上；和

连接结构，其介于所述上封装件和所述第一焊盘之间并且将所述上封装件和所述第一焊盘电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述上封装件包括：

第二基板；

第二半导体芯片，其设置并安装在所述第二基板上；

多个上焊盘，其位于所述第二基板的顶表面上，所述多个上焊盘电连接到所述第二半导体芯片；以及

多个下焊盘，其位于所述第二基板的底表面上并且电连接到所述多个上焊盘，

其中，所述多个下焊盘的间距大于所述多个上焊盘的间距。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片是存储器芯片，并且所述半导体封装件包括设置并安装在所述第二基板上的至少一个其他存储器芯片。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观察时，所述第一焊盘位于由所述第一半导体芯片界定的区域内。

11.一种半导体封装件，包括：

第一基板；

第一半导体芯片，其设置并安装在所述第一基板上；

虚设芯片，其设置在所述第一半导体芯片上并具有大于所述第一半导体芯片的占用面积的占用面积；

再分布层，其位于所述虚设芯片的顶表面上；

多个焊球焊盘，其位于所述再分布层上；

接合线焊盘，其连接到所述再分布层并通过所述再分布层电连接到所述多个焊球焊盘中的至少一个；以及

模塑层，其设置在所述第一基板上并覆盖所述再分布层和所述接合线焊盘，

其中，所述模塑层具有多个开口，所述多个开口通向所述多个焊球焊盘并在所述多个焊球焊盘处开口。