[发明专利]一种单晶硅生产工艺在审
| 申请号： | 201910585452.3 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110230092A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 王楠;王宿;刘学金;段永兵;王军;李佳诚 | 申请（专利权）人： | 新疆晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 孟阿妮;张小勇 |
| 地址： | 835800 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅生产 放肩 红外测温仪 参数设定 拉晶 拉速 自动化生产 装料 技术效果 生产过程 直径匹配 模拟量 温控器 新工艺 测温 拆炉 等径 对拉 减小 熔料 停炉 引晶 预设 去除 收尾 升降 储备 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅生产工艺，其特征在于，所述的单晶硅生产工艺包括以下工序：拆炉、装料、熔料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉；
其中，所述的放肩过程的参数设定中，肩部长度与硅芯晶体直径匹配，并通过定角度放肩拉速系数来调节拉速，来达到预设的拉晶角度。
2.根据权利要求1所述的单晶硅生产工艺，其特征在于，
所述的引晶完成后，通过控制温控器功率进行降温。
3.根据权利要求2所述的单晶硅生产工艺，其特征在于，
所述降温过程不少于3次。
4.根据权利要求3所述的单晶硅生产工艺，其特征在于，
所述降温过程为4-6次。
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