[发明专利]内衬组件及工艺腔室

说明书

本发明提供一种内衬组件及工艺腔室，所述内衬组件包括：环形的内衬主体，所述内衬主体接地；环形挡板，与地电绝缘，且设置在所述内衬主体的内侧，并且能够沿所述内衬主体的轴向移动，以调节所述环形挡板的外周壁与所述内衬主体的内周壁的重叠面积。本发明提供的内衬组件，设有接地的内衬主体和设置在内衬主体内侧、与地电绝缘的环形挡板，并通过环形挡板沿内衬主体的轴向移动，实现环形挡板的外周壁与内衬主体的内周壁的重叠面积的调节，从而，将该内衬组件应用于采用等离子体进行预清洗、刻蚀的腔室时，根据等离子体理论，可实现离子能量在一定的范围内可调，在采用等离子体处理设备对晶圆进行处理时，可以降低对晶圆的等离子体诱导损伤。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种内衬组件及工艺腔室。

背景技术

在半导体刻蚀工艺中，采用等离子体处理设备对晶圆进行处理时，由于等离子体能量较高(可以达到800电子伏)，对晶圆进行处理时容易导致晶圆损伤。等离子体能量通常与等离子体的密度、电场及接触面积等相关。现有技术中，在等离子体密度能够满足高刻蚀速率时，由于其它影响因子也都是固定值，所以等离子体能量通常也较高，不能通过其它变量对等离子体的能量进行调节，所以还无法通过降低等离子体的能量而降低对晶圆的损伤。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种内衬组件及工艺腔室。

为实现本发明的目的而提供一种内衬组件，所述内衬组件包括：

环形的内衬主体，所述内衬主体接地；

环形挡板，与地电绝缘，且设置在所述内衬主体的内侧，并且能够沿所述内衬主体的轴向移动，以调节所述环形挡板的外周壁与所述内衬主体的内周壁的重叠面积。

可选地，所述环形挡板包括设置在所述内衬主体内侧的环形主体，和设置在所述环形主体底部的环形底板；其中，

所述内衬组件还包括绝缘环，所述绝缘环用于环绕设置在可升降的基座上，所述环形底板与所述绝缘环固定连接，且与所述基座电绝缘。

可选地，所述环形挡板的外周壁与所述内衬主体的内周壁之间的径向间距小于等于2毫米。

可选地，所述内衬主体的整个内周壁覆盖有熔射而成的第一粗糙面层，所述环形挡板的整个内周壁覆盖有熔射而成的第二粗糙面层。

可选地，所述第一粗糙面层的粗糙度和所述第二粗糙面层的粗糙度均大于等于10微米。

可选地，所述环形挡板的整个外表面覆盖有阳极氧化层。

可选地，所述阳极氧化层的粗糙度小于等于0.4毫米。

可选地，所述环形挡板的外周壁与所述内衬主体的内周壁在所述内衬主体的轴向上的重叠长度的取值范围在2cm～7cm。

为实现本发明的目的而提供一种工艺腔室，包括腔体、设置在所述腔体内的可升降的基座及内衬组件，所述基座用于加载射频，所述内衬主体与所述腔体固定，且所述腔体与所述内衬主体之间电导通；所述环形挡板设置在所述基座上并随所述基座同步升降。

可选地，所述环形挡板包括设置在所述内衬主体内侧的环形主体，和设置在所述环形主体底部的环形底板；其中，

所述内衬组件还包括绝缘环，所述绝缘环环绕设置在所述基座的外周壁上，所述环形底板与所述绝缘环固定连接，且与所述基座不相接触。

可选地，所述基座包括载品台、环绕在所述载品台周围的聚焦环和设置在所述载品台底部的绝缘件，其中，

所述绝缘件设于所述载品台与所述环形挡板之间，用于使所述载品台与所述环形挡板之间电绝缘；

所述环形底板的下表面的内周边缘区域叠置在所述绝缘环的上表面上。