[发明专利]一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺及处理设备在审
申请号: | 201910587442.3 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110484971A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请(专利权)人: | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 32270 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 许益民<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 215121 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 臭氧水 硅片 臭氧处理 清洗工序 硅片表面 碱液处理 放入 碱液 臭氧 清洗 太阳电池硅片 表面制绒 残留碱液 处理设备 硅片制绒 浓度稳定 清水洗涤 水洗工艺 水中臭氧 粗抛 去除 水中 切割 | ||
1.一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺,其特征在于,所述的处理工艺包括如下步骤:
S1、将切割后的硅片放入碱液中进行粗抛,硅片表面损伤层与碱液反应生成可溶性硅酸盐;
S2、将经碱液处理后的硅片进行清水洗涤;
S3、将经过水洗后的硅片放入臭氧水中进行清洗;以及,
S4、将经臭氧水清洗后的硅片移至制绒工序进行表面制绒处理。
2.如权利要求1所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺,其特征在于,在所述的步骤S2中,是将硅片通过清水溢流槽进行清洗;所述的清水溢流槽配套设置有溢流水收集器。
3.如权利要求1所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺,其特征在于,在所述的步骤S2中,是通过清水喷淋工艺对硅片进行水洗。
4.如权利要求1所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺,其特征在于,在所述的步骤S2中,是将硅片直接浸入水槽中进行清洗,与所述的水槽配套设置有酸液补给器。
5.如权利要求4所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理工艺,其特征在于,所述的水槽中设有PH值检测器,所述PH值检测器与酸液补给器相连,当水槽的PH值呈碱性时,所述酸液补给器向水槽中补充酸液。
6.一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备,其特征在于,所述的处理设备包括碱液粗抛池,设于碱液粗抛池后的水洗装置,设于清洗水槽后的臭氧水清洗池以及设于臭氧水清洗池后的制绒设备;所述的臭氧清洗池与臭氧发生器相通。
7.如权利要求6所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备,其特征在于,所述的水洗装置为清水溢流槽,与所述的清水溢流槽配套设置有溢流水收集器。
8.如权利要求6所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备,其特征在于,所述的水洗装置为清水喷淋装置。
9.如权利要求6所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备,其特征在于,所述的水洗装置为清洗水槽,所述的清洗水槽配套设置有酸液补给器。
10.如权利要求9所述的一种太阳电池硅片表面臭氧处理设备,其特征在于,所述的清洗水槽中设有PH值检测器,所述PH值检测器与酸液补给器相连,当水槽的PH值呈碱性时,所述酸液补给器向水槽中补充酸液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中世太新能源科技有限公司,未经苏州中世太新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910587442.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高镁磷尾矿的资源化处理方法
- 下一篇:一种太阳能单晶硅的制绒工艺