[发明专利]一种酸性抛光液及其在获得超光滑表面的YAG系列材料中的应用有效

专利信息
申请号: 201910588392.0 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN110183972B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 陈丽英;李兵 申请(专利权)人: 成都东骏激光股份有限公司
主分类号: C09G1/04 分类号: C09G1/04;B24B1/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 肖丽
地址: 611600 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 酸性 抛光 及其 获得 光滑 表面 yag 系列 材料 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种酸性抛光液,其特征在于,所述酸性抛光液用于YAG系列材料的表面抛光,通过以下方法制得:将浓硫酸、冰乙酸、重铬酸铵、磷酸和水按照质量比为1:1:1:0.8-1.2:50混合;

所述酸性抛光液在使用时,加水稀释至pH为3-5。

2.根据权利要求1所述的酸性抛光液,其特征在于,所述水选自蒸馏水。

3.一种获得超光滑表面的YAG系列材料的方法,其特征在于,包括:使用权利要求2所述酸性抛光液对所述YAG系列材料进行抛光。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述YAG系列材料选自YAG晶体圆片、YAG晶体方片和YAG晶体板条中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,抛光使所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片表面的粗糙度控制在0.3nm以内。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,抛光使所述YAG晶体板条大面上的粗糙度控制在0.3nm以内,且平面度控制在0.5μm以内。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片的制备包括以下步骤:

分别加热点胶盘和所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片,将所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片采用点胶的方式上盘,

对所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片的至少一个表面进行研磨和抛光,

将抛光好的所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片和所述点胶盘再次加热后,将所述YAG晶体圆片或YAG晶体方片从所述点胶盘上取下。

8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述YAG晶体板条的制备包括以下步骤:

分别加热点胶盘和所述YAG晶体板条,将所述YAG晶体板条采用点胶的方式上盘,对所述YAG晶体板条的第一面进行研磨和抛光,并控制平面度在0.5λ@632.8nm以内,将抛光好的所述YAG晶体板条再次加热,将所述YAG晶体板条从所述点胶盘上取下,

将所述YAG晶体板条进行清洗后用光胶的方式上盘,涂上防水漆,对所述YAG晶体板条的第二面用280#碳化硼磨料研磨控制最终厚度在6±0.1mm,测量4个点厚度偏差控制在0.003mm以内,采用与所述YAG晶体板条的第一面相同的方法对所述YAG晶体板条的第二面进行研磨和抛光,并控制平面度在0.5λ@632.8nm以内,将抛光好的所述YAG晶体板条再次加热,将所述YAG晶体板条从所述点胶盘上取下,

对所述YAG晶体板条进行平面度测试,并用标识笔将板条大面高点区域标识出来,采用无变形分离上盘夹具,对标识出的高点进行加压抛光,控制所述YAG晶体板条的平面度在0.5λ@632.8nm以内。

9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述研磨包括以下步骤:依次使用280#碳化硼去除晶体表面划痕、W40碳化硼研磨至少0.04mm、W20碳化硼研磨至少0.03mm以及W10碳化硼研磨至少0.02mm。

10.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述抛光包括以下步骤:依次使用包括W1白刚玉微粉和酸性抛光液的混合液在聚氨酯抛光垫上抛光8-12小时、包括W0.5白刚玉微粉和酸性抛光液的混合液在柏油抛光模上抛光4-8小时、包括W0.1白刚玉微粉和酸性抛光液的混合液在柏油抛光模上抛光4-8小时以及酸性抛光液在聚四氟乙烯抛光模上抛光3-6小时。

11.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述加热的温度均为100-110℃。

12.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括点胶盘的制作:根据所述YAG晶体板条的尺寸采用YAG晶体柱制作点胶盘,并且在加热所述点胶盘之前先将其平面度修整至小于1λ@632.8nm。

13.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述YAG系列材料选自YAG,Nd:YAG,Nd、Ce:YAG、Cr4+:YAG以及Yb:YAG中的任意一种。

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