[发明专利]一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法在审
| 申请号： | 201910588598.3 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110221367A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高敏;王旭;林媛;罗盛鲜;路畅;潘泰松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B5/18;G02F1/01 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化钒 调控 二氧化钒薄膜 太赫兹调制器 金属光栅 温度变化控制 应用技术领域 多功能动态 复合结构 光栅周期 金属线条 显著变化 相变过程 相变特性 响应频率 超结构 传统的 电阻率 调制器 金属相 绝缘相 透射率 透射 薄膜 响应 | ||
1.一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，包括衬底、金属光栅和二氧化钒薄膜，所述金属光栅位于衬底表面，周期性排列，所述二氧化钒薄膜位于衬底和金属光栅表面。
2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，所述金属光栅的周期为2～10μm，光栅线条的宽度为1～5μm，光栅的厚度为100～110nm。
3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，所述二氧化钒距离光栅表面的厚度为100～120nm。
4.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底材料为云母、硅、氧化硅或Al2O3。
5.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，所述金属光栅的金属材料为Au、Ti、Ni、Pt、Fe或Cu。
6.一种如权利要求1～5任一项所述太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1.清洗衬底；
步骤2.制备光栅结构：在清洗后的衬底上采用光刻方法制备光栅结构图案，然后沉积光栅材料，洗去多余部分，即可得到光栅结构；
步骤3.在步骤2带光栅结构的衬底上制备VO2薄膜，即可得到所述太赫兹调制器。
7.根据权利要求6所述的太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，步骤3所述VO2薄膜的制备方法为PAD法或磁控溅射法。
8.一种基于权利要求1～5任一项所述太赫兹调制器的调控方法，其特征在于，通过光栅结构确定频率后再由薄膜厚度调整实现特定频率下太赫兹调制器的透射幅度增强。
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