[发明专利]一种基于Bex 有效
申请号: | 201910589692.0 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110265501B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 何云斌;黎明锴;鄂文涛;程阳;常钢;卢寅梅;李派;张清风;陈俊年 | 申请(专利权)人: | 湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 杨采良 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 be base sub | ||
1.一种基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器,其特征在于:所述探测器从下至上依次为透明柔性衬底、有源层、一对平行金属电极,所述有源层为BexZn1-xO非晶薄膜,其中:0<x<1;所述有源层由Be、Zn和O元素组成,未掺杂其他金属元素。
2.根据权利要求1所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器,其特征在于:所述透明柔性衬底材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚醚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷中的任一种。
3.根据权利要求1所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器,其特征在于:所述有源层的厚度为100~200 nm。
4.根据权利要求1所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器,其特征在于:所述平行金属电极的厚度为40~100 nm。
5.根据权利要求1所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器,其特征在于:所述平行金属电极的间距为10~100 μm。
6.根据权利要求1所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器,其特征在于:所述平行金属电极材料为Au、Ag、Pt或Al中的任一种。
7.权利要求1所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
(1)选择合适大小的柔性衬底,并对所述衬底进行清洁和干燥预处理;
(2)在预处理后的柔性衬底上表面制备BexZn1-xO非晶薄膜层;
(3)在所述BexZn1-xO非晶薄膜上表面制备平行金属电极。
8.根据权利要求7所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述BexZn1-xO非晶薄膜采用脉冲激光烧蚀沉积方法制得,具体工艺如下:利用BexZn1-xO陶瓷作为靶材,控制衬底温度为0~52 °C,脉冲激光能量为300~400 mJ/Pulse,氧压为0~10 Pa,在预处理后的柔性衬底表面沉积形成BexZn1-xO非晶薄膜。
9.根据权利要求8所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器的制备方法,其特征在于:所述BexZn1-xO陶瓷靶材是采用固相烧结法制得,具体方法如下:
按配比将ZnO、BeO粉体原料混合均匀,球磨、干燥后压成陶瓷圆片,然后置于管式炉中于1100~1400 °C条件下烧结2~5 h制得。
10.根据权利要求9所述的基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器的制备方法,其特征在于:所述ZnO、BeO粉体原料的摩尔比为90:10~20:80。
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