[发明专利]OPC建模装置及其形成方法、OPC建模方法有效
申请号: | 201910589741.0 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110286565B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 谢志峰 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | opc 建模 装置 及其 形成 方法 | ||
本发明涉及OPC建模装置及其形成方法、OPC建模方法,所述OPC建模装置包括:基片,包括相对的第一表面和第二表面;嵌于所述基片第一表面内的至少一个光学传感器件,所述光学传感器件的受光表面暴露于所述基片的第一表面。所述OPC建模装置能够提高OPC模型的准确性。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种OPC建模装置及其形成方法、一种OPC建模方法。
背景技术
随着集成电路的持续发展,制造技术不断地朝更小的尺寸发展,光刻制程已经成为限制集成电路向更小特征尺寸发展的主要瓶颈。在深亚微米的半导体制造中,关键图形的尺寸已经远远小于光源的波长,由于光的衍射效应,导致光罩投影至硅片上面的图形有很大的变化,如线宽的变化,转角的圆化,线长的缩短等各种光学临近效应(OPE,OpticalProximity Effects)。
为了修正OPE,需要对掩膜图形进行光学邻近效应修整(OPC,Optical ProximityCorrection)。通过对掩膜图形进行OPC,从而抵消OPE现象,使得在硅片上形成的图形与目标图形一致。
现有的OPC方法均是基于OPC模型进行,OPC模型需要能够完整的描述包括光学系统、掩膜、光刻胶以及刻蚀工艺在内的整个光刻过程。为达到较高的计算速度,这些模型都采用近似模型,其中包含一系列数学公式及参数,均采用近似解,求解过程需要实验数据来进行拟合,以保证模型的精确度。显然实验数据越多,模型拟合越精确。但是太多的测试图形会使得晶圆数据的收集量太大。
OPC模型的准确性决定了光刻图形的准确性,因此,如何进一步提高OPC模型的准确性是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种OPC建模装置及其形成方法、OPC建模方法,以提高OPC建模的准确性。
为了解决上述问题,本发明提供了一种OPC建模装置,所述OPC建模装置,包括:基片,包括相对的第一表面和第二表面;嵌于所述基片第一表面内的至少一个光学传感器件,所述光学传感器件的受光表面暴露于所述基片的第一表面。
可选的,所述光学传感器件的受光表面与所述基片的第一表面整体平坦。
可选的,还包括:保护层,所述保护层覆盖所述基片的第一表面以及所述光学传感器件,且所述保护层的表面平坦。
可选的,所述基片的中心位置以及边缘均分布有所述光学传感器件。
可选的,所述光学传感器件包括像素阵列,所述像素阵列的感光面积大于等于光刻机台的最大可曝光区域面积。
可选的,所述像素阵列包括若干像素单元,所述像素单元的尺寸与光刻光源的波长匹配。
可选的,所述光学传感器件还包括逻辑电路模块以及电源模块。
可选的,所述逻辑电路模块和/或电源模块自所述基片的第二表面与所述像素阵列连接。
可选的,所述基片为晶圆。
本发明的技术方案还提供一种OPC建模装置的形成方法,包括:提供至少一个光学传感器件;提供一基片,所述基片包括第一表面和第二表面,所述基片的第一表面内形成有至少一个凹陷;将所述至少一个光学传感器件一一对应地内嵌于所述至少一个凹陷内,所述光学传感器件的受光表面暴露于所述基片的第一表面。
可选的,所述光学传感器件的受光表面与所述基片的第一表面整体平坦。
可选的,还包括:形成保护层,所述保护层覆盖所述基片的第一表面以及所述光学传感器件,且所述保护层的表面平坦。
可选的,所述凹陷分布于所述基片的中心位置以及边缘位置。
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