[发明专利]受光元件以及测距模块在审
申请号: | 201910589997.1 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110739325A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S7/487;G01S7/491;G01S17/08 |
代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李成必;李雪春 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压施加部 半导体层 片上透镜 受光元件 电荷检测部 布线层 电极 贯穿 配置 施加 测距模块 距离信息 膜施加 应用 | ||
1.一种受光元件,其特征在于,
所述受光元件包括:
片上透镜;
布线层;以及
配置在所述片上透镜和所述布线层之间的半导体层,
所述半导体层包括:
被施加第一电压的第一电压施加部;
被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压施加部;
配置在所述第一电压施加部的周围的第一电荷检测部;
配置在所述第二电压施加部的周围的第二电荷检测部;以及
贯穿所述半导体层的贯穿电极,
通过所述贯穿电极对所述半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。
2.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,
所述布线层至少具有具备反射部件的一层,
所述反射部件设置成在俯视时与所述第一电荷检测部或所述第二电荷检测部重叠。
3.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,
所述布线层至少具有具备遮光部件的一层,
所述遮光部件设置成在俯视时与所述第一电荷检测部或所述第二电荷检测部重叠。
4.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,所述规定的膜是固定电荷膜。
5.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,所述规定的膜是绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,
所述贯穿电极是形成在像素边界部上的像素间贯穿电极,
使用所述像素间贯穿电极对所述规定的膜施加所述第三电压。
7.根据权利要求6所述的受光元件,其特征在于,
所述规定的膜的上侧还具备与所述像素间贯穿电极连接的透明导电膜,
借助所述透明导电膜,对所述规定的膜施加所述第三电压。
8.根据权利要求6所述的受光元件,其特征在于,
在所述半导体层的片上透镜侧的像素边界部的面上还具备与所述像素间贯穿电极连接的像素间遮光膜,
借助所述像素间遮光膜,对所述规定的膜施加所述第三电压。
9.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,
所述贯穿电极形成在比像素阵列部靠外侧的外周部上,
从所述外周部的所述贯穿电极对所述规定的膜施加所述第三电压。
10.根据权利要求9所述的受光元件,其特征在于,
所述规定的膜的上侧还具备透明导电膜,
所述透明导电膜与所述外周部的所述贯穿电极连接,
借助所述透明导电膜,对所述规定的膜施加所述第三电压。
11.根据权利要求9所述的受光元件,其特征在于,
所述半导体层的片上透镜侧的像素边界部的面上还具备像素间遮光膜,
所述外周部的所述贯穿电极与所述像素间遮光膜连接,
借助所述像素间遮光膜,对所述规定的膜施加所述第三电压。
12.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,
作为所述贯穿电极,具备形成在像素边界部上的像素间贯穿电极以及形成在比像素阵列部靠外侧的外周部上的外周部贯穿电极,
使用所述像素间贯穿电极和所述外周部贯穿电极双方,对所述规定的膜施加所述第三电压。
13.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,所述第三电压是比对无源抽头施加的电压低的电压。
14.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,所述第三电压是负的电压。
15.根据权利要求1所述的受光元件,其特征在于,所述贯穿电极由多晶硅或金属材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的