[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

沟槽隔离结构，形成在一衬底的隔离沟槽中，其中所述沟槽隔离结构包括多层绝缘层，所述多层绝缘层依次覆盖所述隔离沟槽的内壁，并且所述多层绝缘层中位于最内层的绝缘层顶表面相对于衬底顶表面更为下沉，以构成第一凹槽在所述隔离沟槽中；以及，

电性传导结构，形成在所述衬底上且至少部分位于所述沟槽隔离结构上，并且所述电性传导结构完全填充所述第一凹槽；其中，所述电性传导结构包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层填充所述第一凹槽并延伸出所述隔离沟槽，所述第二导电层形成在所述第一导电层上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电性传导结构的侧壁边界介于所述第一凹槽的边界和所述隔离沟槽的边界之间。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多层绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层依次保形的覆盖所述隔离沟槽的内壁，所述第三绝缘层位于所述多层绝缘层的最内层以填充所述隔离沟槽。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第三绝缘层的顶表面低于所述第二绝缘层的顶表面，以利用所述第二绝缘层围绕出所述第一凹槽在所述第三绝缘层的上方。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述电性传导结构的侧壁边界超出所述第三绝缘层的侧壁边界，并搭接在所述第二绝缘层上。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层在高度方向上的投影面积不小于所述第一导电层的顶表面面积。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层中对应所述第一凹槽的顶表面上形成有第一凹陷，所述第一凹陷的底部高于所述第一凹槽的顶部。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述电性传导结构还包括第三导电层，所述第三导电层形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间；以及，所述第三导电层中对应于所述第一凹陷的底部凸出至所述第一凹陷中，所述第三导电层中对应第一凹陷的顶表面以朝向所述第一导电层的方向下凹。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层中对应所述第一凹槽的底表面以朝向所述第一导电层的方向凸出，所述第二导电层中对应所述第一凹槽的顶表面以朝向所述第一导电层的方向下凹，以构成第二凹陷。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述电性传导结构还包括遮蔽层，所述遮蔽层形成在所述第二导电层上，并且所述遮蔽层对应于所述第二凹陷处的底表面与所述第二凹陷围绕出一缝隙。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构中，利用所述沟槽隔离结构界定出有源区，并且在所述有源区上也形成有电性传导结构；

其中，位于沟槽隔离结构上的电性传导结构和位于有源区上的电性传导结构均包括遮蔽层，所述遮蔽层形成在所述电性传导结构的导电层上，并且位于沟槽隔离结构上的遮蔽层和位于有源区上的遮蔽层的顶表面为共平面。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

沟槽隔离结构，形成在一衬底的隔离沟槽中，并且所述沟槽隔离结构的至少部分顶表面相对于所述衬底的顶表面更为下沉；

电性传导结构，形成在所述衬底的所述沟槽隔离结构上，并填充所述隔离沟槽，其中所述电性传导结构包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层填充所述隔离沟槽并延伸出所述隔离沟槽，所述第二导电层形成在所述第一导电层上，并且所述第一导电层和所述第二导电层中对应所述隔离沟槽的顶表面上均形成有凹陷；以及，

遮蔽层，形成在所述电性传导结构的所述第二导电层上，并且所述遮蔽层中对应于所述第二导电层的凹陷处与所述第二导电层的凹陷围绕出一缝隙。