[发明专利]放大器线性度提升电路和用于后失真反馈消除的方法在审

专利信息
申请号: 201910591321.6 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN110690862A 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: J·J·E·M·哈格瑞茨;J·李 申请(专利权)人: 天工方案公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F1/34;H03F1/56
代理公司: 11497 北京市正见永申律师事务所 代理人: 黄小临
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 非线性电流 放大器线性度 反馈路径 放大信号 提升电路 放大器 相移电路 信号输出 信号输入 发生器配置 放大器电路 信号输出处 互调失真 发生器 耦接 配置
【权利要求书】:

1.一种放大器电路,包括:

放大器,其具有信号输入和信号输出,所述放大器配置为在所述信号输出处产生放大信号;

反馈路径,其耦接在所述信号输出和所述信号输入之间;以及

放大器线性度提升电路,其位于所述反馈路径中,所述放大器线性度提升电路包括非线性电流发生器和相移电路,所述非线性电流发生器配置为基于所述放大信号提供非线性电流,并且所述相移电路配置为调整所述非线性电流的相位以减少所述放大信号的互调失真。

2.根据权利要求1所述的放大器电路,其中,所述非线性电流发生器包括耦接到晶体管的偏置电路,所述偏置电路配置为选择性地偏置所述晶体管。

3.根据权利要求2所述的放大器电路,其中,所述相移电路包括与电阻器串联耦接的电容器,并且其中,所述电容器和所述电阻器耦接在所述非线性电流发生器和所述信号输入之间。

4.根据权利要求3所述的放大器电路,其中,所述晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管,所述晶体管具有栅极、源极和漏极,所述漏极耦接到所述信号输出,并且所述源极耦接到所述相移电路。

5.根据权利要求4所述的放大器电路,其中,所述偏置电路包括耦接在所述栅极和电接地之间的第一偏置电阻器、耦接在所述源极和所述电接地之间的第二偏置电阻器、以及与偏置电容器并联耦接在所述栅极和所述漏极之间的偏置开关。

6.根据权利要求5所述的放大器电路,其中,在反馈操作模式期间,所述偏置开关断开以将所述栅极与所述电接地解耦。

7.根据权利要求4所述的放大器电路,其中,所述偏置电路包括耦接在所述栅极和第一偏置输入之间的第一偏置电阻器、耦接在所述源极和第二偏置输入之间的第二偏置电阻器、以及耦接在所述漏极和所述栅极之间的偏置电容器。

8.根据权利要求7所述的放大器电路,其中,在反馈操作模式期间,所述偏置电路配置为至少部分地基于在所述第一偏置输入处接收的第一控制信号和在所述第二偏置输入处接收的第二控制信号来偏置所述晶体管。

9.根据权利要求4所述的放大器电路,其中,所述偏置电路包括耦接在所述栅极和电接地之间的偏置开关,以及耦接在所述源极和所述电接地之间的电流源。

10.根据权利要求9所述的放大器电路,其中,在反馈操作模式期间,所述偏置开关断开以将所述栅极与所述电接地解耦。

11.根据权利要求4所述的放大器电路,其中,所述偏置电路包括经由第一偏置开关耦接到所述漏极的电流源、耦接在所述源极与电接地之间的偏置电阻器、以及耦接在所述栅极与所述电接地之间的第二偏置开关。

12.根据权利要求11所述的放大器电路,还包括直流阻断部件,其位于所述反馈路径中并插置在所述放大器线性度提升电路和所述信号输出之间。

13.根据权利要求11所述的放大器电路,其中,在反馈操作模式期间,所述第一偏置开关闭合以将所述电流源耦接到所述漏极,并且所述第二偏置开关断开以将所述栅极与所述电接地解耦。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的放大器电路,还包括旁路开关,其位于所述反馈路径中并且插置在所述信号输出和所述非线性电流发生器之间,所述旁路开关配置为选择性地将所述放大器线性度提升电路与所述信号输出解耦。

15.根据权利要求1所述的放大器电路,其中,所述放大器配置为将可变增益施加到在所述信号输入处接收的信号以在所述信号输出处产生放大信号。

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