[发明专利]多频窄波束天线在审
申请号: | 201910591918.0 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110265795A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 刘培涛;黄立文;陆尧;孙善球;卜斌龙 | 申请(专利权)人: | 京信通信技术(广州)有限公司;京信通信系统(中国)有限公司;京信通信系统(广州)有限公司;天津京信通信系统有限公司 |
主分类号: | H01Q21/30 | 分类号: | H01Q21/30;H01Q21/29;H01Q21/08 |
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地址: | 510730 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低频辐射单元 窄波束 参考线 窄波束天线 多频 高频辐射单元 互相平行 间隔设置 高增益 收敛性 | ||
1.一种多频窄波束天线,其特征在于,包括:
由多个第一高频辐射单元沿第一参考线形成的第一高频列、由多个第二高频辐射单元沿第二参考线形成的第二高频列、由多个第三高频辐射单元沿第三参考线形成的第三高频列以及由多个第四高频辐射单元沿第四参考线形成的第四高频列;
由多个第一低频辐射单元沿所述第一参考线形成的第一低频列以及由多个第二低频辐射单元沿所述第三参考线形成的第二低频列;
所述第一参考线、所述第二参考线、所述第三参考线及所述第四参考线依次间隔设置且互相平行,所述第一高频列与所述第二高频列组成第一高频窄波束阵列,所述第三高频列与所述第四高频列组成第二高频窄波束阵列,所述第一低频列与所述第二低频列组成低频窄波束阵列;
所述低频窄波束阵列中包括两两相邻的第一低频辐射单元和第二低频辐射单元,以及与各所述第一低频辐射单元均不相邻的所述第二低频辐射单元,和/或,与各所述第二低频辐射单元均不相邻的所述第一低频辐射单元。
2.根据权利要求1所述的多频窄波束天线,其特征在于,当所述第一低频列中具有与所述第二低频列中的各所述第二低频辐射单元不相邻的所述第一低频辐射单元时,与所述第二低频列中的各所述第二低频辐射单元不相邻的所述第一低频辐射单元位于所述第一低频列的列首和/或列尾。
3.根据权利要求2所述的多频窄波束天线,其特征在于,与所述第二低频列中的各所述第二低频辐射单元不相邻的所述第一低频辐射单元的数量≤2。
4.根据权利要求1所述的多频窄波束天线,其特征在于,当所述第二低频列中具有与所述第一低频列中的各所述第一低频辐射单元不相邻的所述第二低频辐射单元时,与所述第一低频列中的各所述第一低频辐射单元不相邻的所述第二低频辐射单元位于所述第二低频列的列首和/或列尾。
5.根据权利要求4所述的多频窄波束天线,其特征在于,与所述第一低频列中的各所述第一低频辐射单元不相邻的所述第二低频辐射单元的数量≤2。
6.根据权利要求1所述的多频窄波束天线,其特征在于,当所述第一低频列中具有与所述第二低频列中的各所述第二低频辐射单元不相邻的所述第一低频辐射单元,且所述第二低频列中具有与所述第一低频列中的各所述第一低频辐射单元不相邻的所述第二低频辐射单元时,与所述第二低频列中的各所述第二低频辐射单元不相邻的所述第一低频辐射单元位于列首,与所述第一低频列中的各所述第一低频辐射单元不相邻的所述第二低频辐射单元位于所述第二低频列的列尾。
7.根据权利要求6所述的多频窄波束天线,其特征在于,与所述第二低频列中的各所述第二低频辐射单元不相邻的所述第一低频辐射单元仅1个,与所述第一低频列中的各所述第一低频辐射单元不相邻的所述第二低频辐射单元也仅有1个。
8.根据权利要求1所述的多频窄波束天线,其特征在于,所述第一高频窄波束阵列的列间距D1为0.7~0.9λ1,所述第二高频窄波束阵列的列间距D2为0.7~0.9λ2,所述低频窄波束阵列的列间距D3为0.7~0.9λ3;
所述第一高频窄波束阵列中任意相邻两个所述第一高频辐射单元以及任意相邻两个所述第二高频辐射单元之间的行间距d1均为0.8~0.9λ1,所述第二高频窄波束阵列中任意相邻两个所述第三高频辐射单元以及任意相邻两个所述第四高频辐射单元之间的行间距d2均为0.8~0.9λ2,所述低频窄波束阵列中任一相邻两个所述第一低频辐射单元以及任意相邻两个所述第二低频辐射单元之间的行间距d3均为0.8~0.9λ3;
λ1、λ2及λ3分别为所述第一高频窄波束阵列、所述第二高频窄波束阵列及所述低频窄波束阵列的中心频率波长。
9.根据权利要求1所述的多频窄波束天线,其特征在于,所述第一低频列的各所述第一低频辐射单元分别与所述第一高频列中的各所述第一高频辐射单元同轴嵌套设置,所述第二低频列的各所述第二低频辐射单元分别与所述第三高频列中的各所述第三高频辐射单元同轴嵌套设置。
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