[发明专利]一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910591943.9 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN110306168B 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 张易军;王琛英;任巍;蒋庄德;刘明;叶作光;毛琦 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/52
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李鹏威
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 特征 尺寸 调控 周期性 纳米 样板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1,利用原子层沉积法在洁净的基片上表面周期性的沉积两种或者两种以上不同材料形成的纳米叠层薄膜;

步骤2,将步骤1中得到的纳米叠层薄膜进行切割、清洗,形成若干个小块;

步骤3,将步骤2中得到的小块进行两两对接粘贴,形成粘贴样品;将得到的粘贴样品进行加热固化,得到固化样品;

步骤4,将步骤3中得到大的固化样品进行分割,形成若干个小样品,将得到的若干个小样品进行研磨,得到研磨样品;

步骤5,将步骤4中得到的研磨样品进行抛光处理,得到抛光样品;

步骤6,将步骤5中得到的抛光样品进行腐蚀,选择性地腐蚀掉纳米叠层薄膜中的一种薄膜,形成特征尺寸可调的周期性纳米线宽样板;

步骤3中,两两小块在对接连接时,将两个小块的薄膜端对接粘贴;

当步骤6中得到的周期性纳米线宽样板 的特征尺寸不符合工艺要求时,利用原子层沉积法对其特征尺寸进行修正,即 在周期性结构上面生长均匀保形的Al2O3薄膜来调控周期性线宽样板的特征尺寸。

2.根据权利要求1所述的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法,其特征在于,步骤1中,设置有1-40个周期,每个周期内单层薄膜的厚度为1-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法,其特征在于,步骤2中,小块为边长2-8mm的正方形结构。

4.根据权利要求1所述的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法,其特征在于,步骤4中,在研磨时,首先利用600-800目的水洗砂纸进行粗磨,之后依次用2000目、4000目和5000目的晶向砂纸进行精磨。

5.根据权利要求1所述的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法,其特征在于,步骤5中,在抛光时,首先进行机械抛光,具体地:用50nm粒径的二氧化硅抛光液体倒在毛毡抛光垫上面进行20-60分钟的抛光;

其次进行离子抛光,利用离子减薄机进行离子抛光,具体地:用5°-12°入射角度,1-8keV的能量轰击30-90分钟。

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