[发明专利]一种切方切棱磨抛一体机在审

专利信息
申请号: 201910594156.X 申请日: 2019-07-03
公开(公告)号: CN110154256A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 解培玉;段景波;徐公志;王丹;王宝超;于秀升 申请(专利权)人: 青岛高测科技股份有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;B28D7/04;B28D7/00;B24B27/00
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 张明利
地址: 266000 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 开方 晶硅 磨抛机构 滑轨 磨抛 上料工作台 一体机 棱角 底座 磨削 切方 切棱 切割 平行线 一次加工成型 传输方向 对称设置 对中机构 滑轨移动 加工设备 磨削余量 切片工序 切割线 粗磨 晶棒 绕过 吸住 线网 承载 加工
【说明书】:

发明涉及一种切方切棱磨抛一体机,属于晶硅加工设备技术领域,包括底座,所述底座上设有滑轨,所述滑轨上沿着晶硅的传输方向依次设有上料工作台机构、对中机构、开方机构、落边皮机构和至少2个磨抛机构,上料工作台机构用于承载晶硅并带动晶硅沿着滑轨移动,切割线绕过开方机构的开方线网形成平行线,落边皮机构用于吸住开方机构切割下的边皮,所述至少2个磨抛机构沿着滑轨对称设置,本发明将开方机构与磨抛机构集成为一体,一次加工成型,晶硅可直接进入切片工序,同时,开方机构采用两线开方的形式,实现晶硅开方棒和去棱角的切割,减少了磨削工序的磨削余量,节省了粗磨工序,晶棒开方后进行一次磨抛即到棱角加工,显著提高磨削效率。

技术领域

本发明属于晶硅加工设备技术领域,具体地说涉及一种切方切棱磨抛一体机。

背景技术

制作太阳能电池板所用硅片的制造工序分为:拉晶、截断、开方、磨倒、切片等几个步骤。拉晶是在拉晶炉内通过化学沉积的方式生成圆柱体型的单晶硅棒,长度最大可达6米;截断是指把拉晶出来的单晶硅棒截成长度不等(100~700mm)的小段;开方是指把截断出的不同长度的单晶硅棒切成长方体型;磨倒是指用磨具把开方后长方体型的单晶硅棒的四个表面进行磨抛,以及四个棱边进行倒圆的过程。切片是指把磨倒后的长方体型的单晶硅棒切成0.15mm左右厚的硅片用于最后的太阳能电池板的制作。其中开方的过程是把圆柱体型的单晶硅棒切成长方体型,则会产生四块形状不规则(截面呈弧形⌒)的余料(行业内称为边皮)。

目前,市场上在用的截断机、开方机、磨抛一体机都是单台加工棒料,然后人工搬运到另外一台设备加工,需要经常调整上棒、下棒位置,操作非常不便,且劳动强度高、需用操作工数量多;随着光伏拉晶技术的不断提升,截、开、磨设备的加工质量和效率也越来越高,开方尺寸精度误差由±0.3mm可以提升到±0.1mm以内,尺寸极差0.05-0.1mm,刚好是精磨余量,可为下道磨削工序节省了不少磨削量。因此,为进一步提升开方、磨抛效率,企业势必要寻求新的生产设备,进行装备升级、更新换代。

发明内容

针对现有技术的种种不足,为了解决上述问题,现提出一种切方切棱磨抛一体机。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种切方切棱磨抛一体机,包括底座,所述底座上设有滑轨,所述滑轨上沿着晶硅的传输方向依次设有:

上料工作台机构,其用于承载晶硅并带动晶硅沿着滑轨移动;

对中机构,其位于上料工作台机构处,实现上料工作台机构放置晶硅后进行对中校正,使晶硅长度方向与滑轨平行;

开方机构,其包括放线筒、收线筒和开方线网,切割线绕过开方线网围成供晶硅通过并切割晶硅边皮及棱角的切割通道,且切割线呈平行线,切割线使用但不限于环线或超细金刚线,实现高精密开方,确保尺寸和表面质量;

落边皮机构,其位于开方机构处,用于吸住开方机构切割下的边皮;

以及至少2个磨抛机构,至少2个磨抛机构沿着滑轨对称设置以围成供晶硅通过并磨削晶硅表面的磨削通道,所述切割通道、磨削通道与滑轨平行。

进一步,所述上料工作台机构包括上料工作台、支撑座、上料压紧气缸和上料压板,所述上料压紧气缸沿着竖直方向设置,其缸体端与上料工作台固连,其活塞端与上料压板连接,用于压紧晶硅的顶部,所述上料压板上设有呈V型结构的上料压块,且V型结构的开口正对晶硅设置。

进一步,所述上料工作台机构由横进给驱动电机驱动,以沿着滑轨依次移动至切割通道、磨削通道,所述横进给驱动电机的输出端连接有齿轮,所述底座上设有与齿轮形成传动副的齿条,且齿条与滑轨平行设置。

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