[发明专利]蚀刻混切玻璃基板的方法

说明书

本发明公开了一种蚀刻混切玻璃基板的方法以改善膜层厚度的均一性，包括以下步骤：S1)获取玻璃基板中每一蚀刻区中的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数之间的关联数据；S2)根据关联数据对可控参数、检测区域的蚀刻量、残留膜厚量进行数据分析，得到膜层厚度均一性所述可控参数之间的关系函数；S3)设定残留膜厚量的阈值，并根据所述关系函数，重新优化可控参数；根据优化后的可控参数干蚀刻混切玻璃基板。

技术领域

本发明涉及显示器等领域，具体为一种蚀刻混切玻璃基板的方法，以改善膜厚的均一性。

背景技术

对于玻璃混切基板(MMG)而言，玻璃混切基板(MMG)能够通过混切技术混切成两个不同尺寸产品。由于每英寸像素数量(PPI)、膜层的金属密度及产品显示区(AA区)与外围图形分布均存在差异，会使玻璃混切基板(MMG)关键特性差异化加大，如蚀刻前后的线条变化量(CD loss)、无定形硅的残留膜厚均匀性(As Remain U％)等。

以43+22吋玻璃混切基板(MMG)为例，如下图1中所示，22吋产品的图形密度较43吋产品的图形密度大，在相同蚀刻环境下，22吋产品的蚀刻速度慢，蚀刻后的膜厚偏厚，而43吋产品的蚀刻速率快，蚀刻后的膜厚偏薄。在行业内，这种因暴露在等离子体中的膜层面积较大的蚀刻速率，要小于面积较小的蚀刻速率的现象称之为负载效应(Loading effect)。玻璃混切基板(MMG)中不同尺寸产品的膜厚不一致，产品的膜厚均匀性不佳，蚀刻图形差异最终表现为产品的电性和光学特性差异，严重的将影响产品的品质。因此，实际生产中需要控制干蚀刻的残留膜厚均匀性(As Remain U％)。

发明内容

为解决上述技术问题：本发明提供一种蚀刻混切玻璃基板的方法，减小了玻璃混切基板(MMG)的产品的图形在干蚀刻制程中的差异性，保证了经蚀刻工艺后，产品的膜层厚度均一性较好，产品的电性和光学特性较佳。

解决上述问题的技术方案是：本发明提供一种蚀刻混切玻璃基板的方法，包括以下步骤：S1)获取玻璃基板中每一蚀刻区中的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数之间的关联数据；S2)根据所述关联数据对所述可控参数、所述检测区域的蚀刻量、残留膜厚量进行数据分析，得到膜层厚度均一性所述可控参数之间的关系函数，其中，残留膜厚量波动区间越小，膜层厚度均一性越佳；S3)设定残留膜厚量的阈值，并根据所述关系函数，重新优化可控参数；根据优化后的可控参数干蚀刻混切玻璃基板。

在本发明一实施例中，在步骤S1)中包括以下步骤：S11)提供一实验混切玻璃基板，所述实验混切玻璃基板包括若干蚀刻区，每一蚀刻区具有若干检测区域，每一检测区域具有蚀刻前的膜层厚度；S12)设定干蚀刻工艺中至少两个以上可控参数，并在每一蚀刻区干蚀刻所述实验混切玻璃基板；S13)在所述实验混切玻璃基板进行干蚀刻工艺后，测定每一蚀刻区中检测区域的蚀刻后的膜层厚度以及测量每一蚀刻区中检测区域的蚀刻后的残留膜厚量；S14)根据蚀刻前的膜层厚度和蚀刻后的膜层厚度，计算每一蚀刻区中检测区域的蚀刻量；S15)将每一蚀刻区中检测区域的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数关联，得到关联数据；S16)重复步骤S11)至步骤S15)直至重复次数达到预设次数，得到多组关联数据；所述可控参数包括电源功率、气体压力、气体浓度比例。

在本发明一实施例中，所述电源功率包括Source电源功率、Bias电源功率；所述气体浓度比例为氯气与六氟化硫的浓度比例。

在本发明一实施例中，在每一蚀刻区中，所述检测区域至少具有五个，其中一个检测区域位于这一蚀刻区的中心位置，其余检测区域分布在这一蚀刻区的边角。

在本发明一实施例中，在所述蚀刻区中，中心位置的检测区域的膜层厚度小于边角的检测区域的膜层厚度。

在本发明一实施例中，在蚀刻前，所有实验混切玻璃基板的膜厚均一性均一致。