[发明专利]碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法在审
| 申请号： | 201910594477.X | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110676322A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | E.菲尔古特;R.K.约希;R.西米尼克;T.巴斯勒;M.格鲁贝尔;J.希尔森贝克;D.彼得斯;R.鲁普;W.肖尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L23/485;H01L21/336;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 碳化硅器件 接触层 阻挡层 金属化层 | ||
1.一种碳化硅器件(100；200；300a；300b；600a；600b)，包括：
碳化硅衬底(102)；
接触层(104)，包括镍、硅和铝，其中接触层(104)位于碳化硅衬底(102)上；
包括钛和钨的阻挡层结构(106)，其中接触层(104)位于碳化硅衬底(102)和阻挡层结构(106)的至少一部分之间；和
包括铜的金属化层(108)，其中阻挡层结构(106)位于碳化硅衬底(102)和金属化层(108)之间。
2.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)包括TiW层。
3.根据权利要求2所述的碳化硅器件，其中所述TiW层与所述金属化层(108)接触。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)包括TiWN层。
5.根据权利要求4所述的碳化硅器件，其中所述TiWN层与所述金属化层(108)接触。
6.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)与所述接触层(104)接触。
7.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)包括Ti/TiN层、TiW层、TiWN层和MoN层的组的一个或多个层。
8.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)包括Ti/TiN层。
9.根据权利要求8所述的碳化硅器件，其中所述Ti/TiN层与所述接触层(104)接触。
10.根据权利要求8或9所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)包括Ti/TiN层以及TiW层和TiWN层中的至少一个。
11.根据权利要求8、9或10所述的碳化硅器件，其中Ti/TiN层的钛层与所述接触层(104)接触。
12.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述阻挡层结构(106)的垂直厚度为至少100nm且至多600nm。
13.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述接触层(104)是NiSiAl层。
14.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述接触层(104)包含按体积计至少1％至多20％的硅。
15.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述接触层(104)包含按体积计至多10％的碳包含物。
16.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述接触层(104)与所述碳化硅衬底(102)的第一掺杂区和/或与所述碳化硅衬底(102)的第二掺杂区欧姆接触，其中第一掺杂区具有第一导电类型，并且其中第二掺杂区具有第二导电类型。
17.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述金属化层(108)包含按体积计至少60％的铜。
18.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，其中所述金属化层(108)是所述接触层(104)和所述阻挡层结构(106)中的每一个的至少5倍那么厚。
19.根据前述权利要求之一所述的碳化硅器件，还包括接合线，所述接合线接合到所述金属化层(108)。
20.根据权利要求19所述的碳化硅器件，其中使用钉头接合将所述接合线接合到所述金属化层(108)。
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