[发明专利]一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，放入PECVD腔室中，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，在所述氮硅化物薄膜的表面上沉积一层或多层掺杂的非晶或多晶硅薄膜，并进行780-1100℃的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构，所述氮硅化物薄膜中氮含量为3at％-60at％。

2.根据权利要求1所述的掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：所述氧化硅层的厚度为1.0-3.5nm。

3.根据权利要求1所述的掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：所述氮硅化物薄膜为掺杂薄膜，掺杂剂是提供电子的磷、砷或提供空穴的硼、铝、镓。

4.一种权利要求1-3中任一项所述的掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的应用，其特征在于：用于隧穿氧化硅钝化接触晶硅太阳电池中。