[发明专利]一种双面集成的单片体声波双工器在审

专利信息
申请号: 201910595492.6 申请日: 2019-07-03
公开(公告)号: CN110277977A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 谢英;孙成亮;徐沁文;蔡耀;邹杨 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/70 分类号: H03H9/70
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 衬底 发射带通滤波器 声波双工器 单片体 双工器 接收带通滤波器 阻抗匹配电路 接收滤波器 结构工艺 中间设置 凹槽状 面积和 体声波 有效地 沉积 减小 刻蚀 空腔 制作
【权利要求书】:

1.一种双面集成的单片体声波双工器,其特征在于,包括相互连接的发射带通滤波器(TX)、接收带通滤波器(RX)和阻抗匹配电路;其中:

该单片体声波双工器中间设置有一个衬底(201),衬底(201)上下两面均刻蚀有凹槽状的空腔;发射带通滤波器(TX)和接收带通滤波器(RX)均包括多层电路元件,各层的电路元件依次进行沉积,使得发射带通滤波器(TX)和接收带通滤波器(RX)分别沉积在衬底(201)的上下两面。

2.根据权利要求1所述的双面集成的单片体声波双工器,其特征在于,衬底(201)上下两面的凸起位置沉积有支撑层(202),空腔中沉积有牺牲层(A);发射带通滤波器(TX)包括发射带通滤波器底电极(207)、发射带通滤波器压电薄膜(209)、发射带通滤波器顶电极(211)、发射带通滤波器负载层(213)和发射带通滤波器释放孔(215);

发射带通滤波器底电极(207)沉积在支撑层(202)和牺牲层(203)的上方,且分别在两侧分为两个不接触的部分;两部分的发射带通滤波器底电极(207)上均沉积有发射带通滤波器压电薄膜(209)和发射带通滤波器顶电极(211),其中一部分的发射带通滤波器底电极(207)上的发射带通滤波器顶电极(211)上还沉积有发射带通滤波器负载层(213);发射带通滤波器释放孔(215)设置在垂直方向上,且穿过发射带通滤波器底电极(207)、发射带通滤波器压电薄膜(209)、发射带通滤波器顶电极(211)、发射带通滤波器负载层(213)。

3.根据权利要求2所述的双面集成的单片体声波双工器,其特征在于,发射带通滤波器(TX)包括多个串联的FBAR和多个并联的FBAR;其中:串联的FBAR包括:衬底(201)、空腔及衬底(201)上表面一侧的发射带通滤波器底电极(207)、发射带通滤波器压电薄膜(209)、发射带通滤波器顶电极(211);并联的FBAR包括:衬底(201)、空腔及衬底(201)上表面另一侧的发射带通滤波器底电极(207)、发射带通滤波器压电薄膜(209)、发射带通滤波器顶电极(211)、发射带通滤波器负载层(213)。

4.根据权利要求2所述的双面集成的单片体声波双工器,其特征在于,接收带通滤波器(RX)包括接收带通滤波器底电极(208)、接收带通滤波器压电薄膜(210)、接收带通滤波器顶电极(212)、接收带通滤波器负载层(214)和接收带通滤波器释放孔(216);

在设置接收带通滤波器(RX)的一个面上,支撑层(202)和牺牲层(A)上沉积有接收带通滤波器底电极(208),接收带通滤波器底电极(208)为一个整体;接收带通滤波器底电极(208)两侧不接触的位置均分别沉积有接收带通滤波器压电薄膜(210)和接收带通滤波器顶电极(212),其中一侧的接收带通滤波器顶电极(212)上还沉积有接收带通滤波器负载层(214);接收带通滤波器释放孔(216)设置在垂直方向上,且穿过接收带通滤波器底电极(208)、接收带通滤波器压电薄膜(210)、接收带通滤波器顶电极(212)、接收带通滤波器负载层(214)。

5.根据权利要求4所述的双面集成的单片体声波双工器,其特征在于,接收带通滤波器(RX)一端连接接收端(121),另一端连接阻抗匹配电路;接收带通滤波器(RX)包括多个串联的FBAR和多个并联的FBAR;其中:串联的FBAR包括:衬底(201)、空腔、接收带通滤波器底电极(208)及衬底(201)下表面一侧的接收带通滤波器压电薄膜(210)、接收带通滤波器顶电极(212);并联的FBAR包括:衬底(201)、空腔、接收带通滤波器底电极(208)及衬底(201)下表面另一侧的接收带通滤波器压电薄膜(210)、接收带通滤波器顶电极(212)、接收带通滤波器负载层(214)。

6.根据权利要求3所述的双面集成的单片体声波双工器,其特征在于,发射带通滤波器(TX)中的衬底(201)、空腔、发射带通滤波器底电极(207)、发射带通滤波器压电薄膜(209)、发射带通滤波器顶电极(211)的厚度均相等。

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