[发明专利]卤族元素O位掺杂氧化镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及锂电池负极、锂电池和用电设备有效
申请号: | 201910595607.1 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110233262B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 王佳希 | 申请(专利权)人: | 桑顿新能源科技(长沙)有限公司 |
主分类号: | H01M4/52 | 分类号: | H01M4/52;H01M4/36;H01M4/13;H01M4/139;H01M4/04;H01M4/66;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王闯 |
地址: | 410000 湖南省长沙市高新开发区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卤族 元素 掺杂 氧化 及其 制备 方法 靶材 薄膜 材料 锂电池 负极 用电 设备 | ||
本发明提供一种卤族元素O位掺杂氧化镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及锂电池负极、锂电池和用电设备,涉及新材料领域。卤族元素O位掺杂氧化镍的制备方法:将镍盐、卤盐溶于酸中,加热制备成干凝胶,然后将干凝胶煅烧即可。卤族元素O位掺杂氧化镍使用所述制备方法制得。靶材,使用卤族元素O位掺杂氧化镍烧结得到。薄膜材料包括:碳纳米管薄膜以及设置在碳纳米管薄膜表面的活性物质层。锂电池负极,包括薄膜材料。锂电池,包括锂电池负极。用电设备,包括锂电池。本申请提供的卤族元素O位掺杂氧化镍,有效改善NiO的导电性能,降低内阻。薄膜材料容量高、能量密度高、倍率高。使用薄膜材料制得的锂电池,循环性能和安全性能好。
技术领域
本发明涉及新材料领域,尤其涉及一种卤族元素O位掺杂氧化镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及锂电池负极、锂电池和用电设备。
背景技术
随着电子设备的飞速发展,人们对电池的要求也越来越高,在确保高容量、高能量密度的前提下,轻薄化也是未来锂电发展的一个必然趋势。锂离子电池NiO负极材料因其理论容量718mAh/g也远高于目前商用石墨负极材料,而且具有制备方法简单、原料来源丰富、环境友好、理论容量高以及安全性能好等优点受到研究者的广泛关注。
然而,锂离子电池NiO负极材料也存在着导电性能有待改善、内阻高的问题,这些问题也是制约其发展的主要原因。
鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种卤族元素O位掺杂氧化镍的制备方法,通过卤族元素阴离子掺杂,有效改善氧化镍的导电性能,降低内阻。
本发明的第二目的在于提供一种卤族元素O位掺杂氧化镍,由上述方法制得。
本发明的第三目的在于提供一种靶材,使用上述卤族元素O位掺杂氧化镍烧结得到。
本发明的第四目的在于提供一种薄膜材料,循环稳定性好,体积膨胀小、倍率高、首效高。
本发明的第五目的在于提供一种锂电池负极,包括上述薄膜材料。
本发明的第六目的在于提供一种锂电池,容量高、能量密度高,安全环保。
本发明的第七目的在于提供一种用电设备,包括所述的锂电池。
为实现以上目的,本发明特采用以下技术方案:
一种卤族元素O位掺杂氧化镍的制备方法,包括:
将镍盐、卤盐溶于酸中,加热制备成干凝胶,然后将所述干凝胶煅烧得到所述卤族元素O位掺杂氧化镍。
通过将镍盐、卤盐使用凝胶法加工处理得到干凝胶,通过煅烧,实现卤素负离子掺杂到NiO中,得到O位掺杂NiO靶材,在NiO的O位掺杂微量阴离子使其电子结构发生变化,形成对应的N型半导体或者P型半导体,有效的改善其导电性,降低内阻。
卤族元素的氧化性强,容易取代O的位置。
优选地,所述卤盐为氟盐。
F离子离子半径与氧更接近,更容易取代O的位置,形成的掺杂物结构更稳定。
更加优选地,所述氟盐为氟化锂。
离子半径与O越接近,掺杂效果越好,获得的掺杂物结构也更稳定。
优选地,所述镍盐包括碱式碳酸镍、氢氧化镍中的至少一种。
优选地,所述镍盐和所述卤盐按照NiZXyO1-y配料,其中,y=0.01-0.1,X为卤族元素。
优选镍盐和卤盐的类型以及两者的配比,可以进一步优化靶材的性能。
优选地,所述酸为硝酸。
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