[发明专利]离子注入区的形成方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 201910597044.X | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112185808A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘志坤;董天化;袁俊;兰启明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/324;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 形成 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种离子注入区的形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区以及用于隔离所述有源区的隔离结构；
在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；
在所述半导体衬底的部分有源区进行离子注入，在所述半导体衬底内形成离子注入区；
退火，使所述离子注入区内的注入离子均匀分布；
去除所述牺牲氧化层。
2.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区形成的离子注入区的注入离子类型不同。
3.如权利要求2所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述离子注入区包括第一离子注入区和第二离子注入区，其中，在所述半导体衬底的部分有源区进行离子注入，在所述半导体衬底内形成离子注入区的工艺包括：
在所述牺牲氧化层上形成第一掩膜，所述第一掩膜暴露所述第一有源区的部分区域；
通过所述第一掩膜进行第一离子注入，在所述第一有源区形成第一离子注入区；
去除所述第一掩膜；
在所述牺牲氧化层上形成第二掩膜，所述第二掩膜暴露所述第二有源区的部分区域；
通过所述第二掩膜进行第二离子注入，在所述第二有源区进行第二离子注入区；
去除所述第二掩膜。
4.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲氧化层的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包含HF。
5.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜厚度范围为25500埃至26500埃，所述第二掩膜厚度范围为25500埃至26500埃。
6.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺为N型离子注入，所述第二离子注入工艺为P型离子注入。
7.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度大于等于900摄氏度，退火时间大于等于30分钟。
8.如权利要求7所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度为900摄氏度至1000摄氏度，退火时间为30分钟至60分钟。
9.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法，其特征在于，所述牺牲氧化层材料为氧化硅。
10.一种半导体器件，包括离子注入区，所述离子注入区位于半导体衬底的有源区，其中，所述离子注入区采用权利要求1至9中所述的任一方法形成。
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