[发明专利]改善临界尺寸一致性的方法与系统

说明书

本发明实施例涉及改善临界尺寸一致性的方法与系统。一种方法包含：接收掩模的图案布局；收缩所述图案布局以形成收缩图案；确定所述收缩图案内的多个特征的每一个的中心线；和使所述多个特征的每一个的所述中心线与栅格贴齐。所述栅格表示掩模制造工具的最小分辨率大小。所述方法进一步包含：在将使多个特征的每一个的所述中心线与所述栅格贴齐之后，使用所述收缩图案来制造所述掩模。

技术领域

本发明实施例是有关改善临界尺寸一致性的方法与系统。

背景技术

可使用各种光刻技术来形成集成电路。这些技术通常涉及透过图案化光罩来使光阻层暴露于光源。一般来说，形成到光阻层上的最终图案无法完全匹配形成光罩中的图案所依的图案。这是由各种光刻程序参数(例如光源的分辨率)引起的。重要的是确保最终印刷图案与设计图案不会相差太远，否则电路的功能性将受负面影响。

通常，电路设计者将目标图案发送到掩模制造厂。目标图案通常定义为形成所要图案的若干多边形特征。接着，掩模制造厂可产生与目标图案相关联的初始布局图案。接着，掩模制造厂可将各种光刻模型应用于目标图案以产生优化布局图案。接着，可使用优化布局图案来制造掩模。接着，在光刻程序中使用所制造的掩模来形成光阻层上的所要图案。

在一些实例中，期望采用图案且收缩所述图案以产生稍小电路。例如，可期望产生具有为原始图案的大小的98％的大小的收缩图案。期望借此使图案的布局和因此随后形成的掩模不受负面影响。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：接收掩模的图案布局；收缩所述图案布局以形成收缩图案；确定所述收缩图案内的多个特征的每一个的中心线；使所述多个特征的每一个的所述中心线与栅格贴齐，所述栅格表示掩模制造工具的最小分辨率大小；和在使所述多个特征的每一个的所述中心线与所述栅格贴齐之后，使用所述收缩图案来制造所述掩模。

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：接收用于制造第一掩模的第一图案；接收用于制造第二掩模的第二图案；使所述第一图案的第一特征与所述第二图案的第二特征对准；在所述对准之后，收缩所述第一图案和所述第二图案以形成第一收缩图案和第二收缩图案；响应于确定所述第一特征不再与所述第二特征对准，调整所述第二特征的一边缘以匹配所述第一特征的边缘；和使用所述第一收缩图案来制造所述第一掩模和使用所述第二收缩图案来制造所述第二掩模。

本发明的一实施例涉及一种计算机可读媒体，其包括机器可读指令，所述机器可读指令在由处理器执行时引起系统：接收用于制造集成电路中的一层的掩模图案；收缩所述掩模图案以形成收缩图案；识别所述收缩图案的特征的中心线；使所述特征的所述中心线与栅格贴齐，所述栅格表示掩模制造工具的最小分辨率大小；和将所述特征的临界尺寸调整为所述掩模制造工具的所述最小分辨率大小的整数倍。

附图说明

从结合附图来解读的以下详细描述最优选理解本公开的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1为展示根据本文所描述的原理的实例的用于改善布局图案优化的绘示性方法的流程图。

图2A为展示根据本文所描述的原理的实例的栅格上的绘示性收缩图案的图式。

图2B为展示根据本文所描述的原理的实例的收缩图案的特征上的中心线的图式。

图2C为展示根据本文所描述的原理的实例的与栅格贴齐的中心线的图式。

图2D为展示根据本文所描述的原理的实例的经调整以匹配栅格的特征的大小的图式。

图3A、3B、3C和3D为展示根据本文所描述的原理的实例的用于使第一收缩图案的第一特征与第二收缩图案的第二特征对准的程序的图式。

图4为展示根据本文所描述的原理的实例的用于通过使中心线与栅格贴齐来产生收缩图案的一致临界尺寸的绘示性方法的流程图。