[发明专利]一种场效应管及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应管，包括N型衬底以及设于N型衬底上的N型外延，其特征在于：所述N型外延上设有通过P型离子注入形成的P-well阱区，所述P-well阱区与所述N型外延的交界面形成PN结，相邻两个P-well阱区之间的N型外延上设有肖特基接触，所述肖特基与所述PN结共同形成结势垒肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于：

所述P-well阱区设有N型离子注入的源极接触n⁺区域和P型离子注入的源极接触p⁺区域，所述源极接触p⁺区域设于所述源极接触n⁺区域与P-well阱区边缘之间。

3.根据权利要求2所述的场效应管，其特征在于：

所述P-well阱区设有栅极沟槽，所述栅极沟槽的深度大于所述P-well阱区的深度；

所述栅极沟槽内设有栅电极层，在所述栅极沟槽内壁与所述栅电极层之间设有绝缘栅介质层；

所述栅极沟槽设于所述源极接触n⁺区域。

4.根据权利要求2所述的场效应管，其特征在于：

所述源极接触n⁺区域的上部和所述源极接触p⁺区域的上部设有源极欧姆接触金属；所述N型衬底的背部设有漏极欧姆接触金属。

5.根据权利要求4所述的场效应管，其特征在于：

所述源极欧姆接触金属上部、所述栅电极层上部以及肖特基接触上部设有连接金属。

6.根据权利要求5所述的场效应管，其特征在于：

所述栅极沟槽开口处还设有隔离介质层，用以隔离所述源极欧姆接触金属和/或源极欧姆接触金属上部的连接金属与所述栅电极层上部的连接金属。

7.一种场效应管制备方法，用以制备权利要求1至6中任意一项所述的场效应管，所述方法包括步骤一：提供已生长N型外延并完成清洗、干燥的N型衬底，其特征在于：所述方法还包括：

步骤二：在N型外延表面上进行P型离子注入，形成分离的两个P-well阱区，所述P-well阱区与所述N型外延的交界面形成PN结；

步骤三：在所述P-well阱区上表面进行N型离子注入，形成源极接触n⁺区域；

步骤四：在源极接触n⁺区域与P-well阱区边缘之间进行P型离子注入，形成源极接触P⁺区域；

步骤五：对注入的杂质离子进行热退火处理以激活杂质；

步骤六：在源极接触n⁺区域向N型外延部位方向刻蚀深度大于P-well阱区深度的栅极沟槽；

步骤七：在栅极沟槽内表面制备绝缘栅介质层，再在栅极沟槽内部制备栅电极层，所述绝缘栅介质层设于栅极沟槽内壁与栅电极层之间；

步骤八：在栅极沟槽开口处制备隔离介质层；

步骤九：在源极接触n⁺区域上表面与源极接触P⁺区域上表面制备源极欧姆接触金属；

步骤十：在N型衬底背部制备漏极欧姆接触金属；

步骤十一：对源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属进行热退火处理；

步骤十二：在相邻两个P-well阱区之间的上部制备肖特基接触；

步骤十三：对完成步骤十二后的半导体器件样片钝化层进行淀积、光刻与刻蚀；

步骤十四：在源极欧姆接触金属上部、漏极欧姆接触金属上部、栅电极层上部制备连接金属。