[发明专利]一种纳米洋葱碳多孔块体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，包括以纳米金刚石为原料经高温无压条件下原位转变，然后再经过高温低压烧结，即得所述纳米洋葱碳多孔块体材料。

2.根据权利要求1所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述纳米金刚石是以爆炸法、高温高压法、化学气相沉积法(CVD)或研磨法合成，其颗粒平均尺寸为2～100nm。

3.根据权利要求1所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温无压条件下原位转变，是通过放电等离子体烧结法进行原位转变。

4.根据权利要求3所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述放电等离子体烧结法所用的升温速度为10～200℃/min，温度为1300～1500℃，保温时间为10～30min，压力为无压，烧结气氛为真空，冷却时间为10～30min。

5.根据权利要求1所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温低压烧结，是采用放电等离子体烧结法或者热压烧结法。

6.根据权利要求5所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述放电等离子体烧结所用的压力为10～80MPa，温度为1200～1500℃，升温速度为50～150℃/min，在最高烧结温度时保温时间为1～30min，烧结气氛为真空；

所述热压烧结是在真空条件下，所用的压力为5～50MPa，温度为1200～1500℃，升温速度为5～50℃/min，最高烧结温度时保温时间为10～120min。

7.根据权利要求1所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述以纳米金刚石为原料经高温无压条件下原位转变，所得粉末的颗粒尺寸为2～100nm，其层数为5～20层。

8.根据权利要求1所述的纳米洋葱碳多孔块体材料的制备方法，其特征在于，所述纳米洋葱碳多孔块体材料的孔隙率为30～60％。

9.权利要求1-8任一项所述制备方法所制得的纳米洋葱碳多孔块体材料。