[发明专利]介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种介电陶瓷组合物，包括：

钛酸钡基基体材料主成分和副成分，

其中，所述副成分包括作为第一副成分元素的镝(Dy)和钆(Gd)，并且

其中，基于所述第一副成分元素的总含量的钆(Gd)的含量比为25mol％或更高。

2.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，基于所述第一副成分元素的总含量的钆(Gd)的含量比为50mol％或更高。

3.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.0mol％至4.0mol％的第一副成分，所述第一副成分包括包含Y、Ho、Er、Ce、Nd、Pm、Eu、Tb、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一种元素的氧化物或碳酸盐。

4.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，钆(Gd)与镝(Dy)的含量比Gd/Dy为100％或更高。

5.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.1mol％至2.0mol％的第二副成分，所述第二副成分包括包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种元素的氧化物或碳酸盐，并且所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.001mol％至0.5mol％的第三副成分，所述第三副成分包括原子包括作为固定价态受主元素的Mg的氧化物或碳酸盐。

6.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.001mol％至4.15mol％的第四副成分，所述第四副成分包括包含Ba的氧化物或碳酸盐。

7.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.001mol％至20.0mol％的第五副成分，所述第五副成分包括包含Ca和Zr之间的至少一种的氧化物或碳酸盐。

8.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.001mol％至4.0mol％的第六副成分，所述第六副成分包括包含Si和Al之间的至少一种元素的氧化物或者包含Si的玻璃化合物。

9.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极彼此相对且所述介电层介于它们之间；以及

第一外电极，设置在所述陶瓷主体的外侧上并电连接到所述第一内电极；以及

第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外侧上并电连接到所述第二内电极，

其中，所述介电层包括介电陶瓷组合物，

其中，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡基基体材料主成分和副成分，并且所述副成分包括作为第一副成分元素的镝(Dy)和钆(Gd)，并且

其中，基于所述第一副成分元素的总含量的钆(Gd)的含量比为25mol％或更高。

10.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，基于所述第一副成分元素的总含量的钆(Gd)的含量比为50mol％或更高。

11.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电陶瓷组合物包括基于100mol％的所述基体材料主成分的0.001mol％至4.0mol％的第一副成分，所述第一副成分包括包含Y、Ho、Er、Ce、Nd、Pm、Eu、Tb、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一种元素的氧化物或碳酸盐。

12.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，钆(Gd)与镝(Dy)的含量比Gd/Dy为100％或更高。