[发明专利]一种电响应聚合物膜及其制备方法、使用方法和用途

权利要求书

1.一种电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述电响应聚合物水处理膜包括多孔聚合物膜基体，以及覆盖在所述多孔聚合物膜基体的孔壁和表面的聚吡咯膜，所述聚吡咯膜中掺杂有大体积阴离子，所述聚吡咯膜的厚度占所述多孔聚合物膜基体的厚度为5％-10％；所述聚吡咯由吡咯聚合而成，所述大体积阴离子与所述吡咯的摩尔比为0.005-0.01:1；

所述大体积阴离子包括烷基苯磺酸根离子、烷基磺酸根离子、烷基硫酸根离子和二丁酸二辛酯磺酸根离子中的任意一种或至少两种组合；

所述烷基为C7-C12的烷基；

所述聚吡咯通过吡咯进行气相聚合制备而成；

所述气相聚合的温度为12-25℃，所述气相聚合的时间为2-8h。

2.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述多孔聚合物膜基体的厚度为200-400μm。

3.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述多孔聚合物膜基体的厚度为200μm。

4.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述多孔聚合物膜基体中的聚合物包括聚偏氟乙烯、聚醚砜、醋酸纤维素和聚酰胺中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述多孔聚合物膜基体中的聚合物包括聚偏氟乙烯。

6.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述聚吡咯由吡咯聚合而成，所述大体积阴离子与所述吡咯的摩尔比为0.007:1。

7.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述气相聚合的温度为15℃。

8.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述气相聚合的时间为4h。

9.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述烷基苯磺酸根离子为十二烷基苯磺酸根离子。

10.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述烷基硫酸根离子为十二烷基硫酸根离子。

11.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述烷基磺酸根离子为十二烷基磺酸根离子。

12.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述大体积阴离子包括烷基苯磺酸根离子。

13.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述电响应聚合物水处理膜被施加氧化电位时的平均孔径为70-82nm。

14.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述电响应聚合物水处理膜被施加氧化电位时的平均孔径为82nm。

15.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述电响应聚合物水处理膜被施加还原电位时的平均孔径为65-75nm。

16.根据权利要求1所述的电响应聚合物水处理膜，其特征在于，所述电响应聚合物水处理膜被施加还原电位时的平均孔径为70nm。