[发明专利]形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法在审

专利信息
申请号: 201910598339.9 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN112185815A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: C.王;X.刘;N.杜;邢精成;G.Y.刘;刁颖 申请(专利权)人: 硅存储技术公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/788;H01L27/11521;H01L29/423
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李雪娜;闫小龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 具有 间隔 限定 离散 多晶 分裂 闪存 存储器 单元 方法
【说明书】:

本发明题为“形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法”。本发明公开了一种形成存储器设备的方法,所述方法包括使用第一多晶硅沉积在半导体衬底上方形成第一多晶硅层,在所述第一多晶硅层上形成绝缘间隔物,以及移除所述第一多晶硅层中的一些以在所述绝缘间隔物下面留下第一多晶硅块。源极区形成在邻近所述第一多晶硅块的第一侧表面的所述衬底中。第二多晶硅层使用第二多晶硅沉积形成。部分地移除所述第二多晶硅层以在所述衬底上方留下第二多晶硅块并且与所述第一多晶硅块的第二侧表面相邻。第三多晶硅层使用第三多晶硅沉积形成。部分地移除所述第三多晶硅层以在所述源极区上方留下第三多晶硅块。漏极区形成在与所述第二多晶硅块相邻的所述衬底中。

技术领域

本发明涉及分裂栅非易失性存储器单元。

背景技术

具有三个栅的分裂栅非易失性存储器单元是已知的。参见例如美国专利7,315,056,其公开了分裂栅存储器单元,每个分裂栅存储器单元在半导体衬底中具有源极区和漏极区,其中沟道区在其间延伸,浮栅在沟道区的第一部分上方,控制栅(也称为字线栅)在沟道区的第二部分上方,并且编程/擦除(P/E)栅在源极区上方。

需要制造方法改进来更好地控制存储器单元的各种元件的形成。

发明内容

前述问题和需求通过形成存储器设备的方法来解决,该方法包括:

使用第一多晶硅沉积来形成在半导体衬底上方并且与半导体衬底绝缘的第一多晶硅层;

在第一多晶硅层上形成绝缘间隔物;

移除第一多晶硅层中的一些,以便在绝缘间隔物下面留下第一多晶硅层的块,其中第一多晶硅层的块具有相对的第一侧表面和第二侧表面;

在邻近第一侧表面的衬底中形成源极区;

使用第二多晶硅沉积在衬底上方形成第二多晶硅层;

移除第二多晶硅层中的一些,以便留下第二多晶硅层的块,该第二多晶硅层的块在衬底上方并且与衬底绝缘,并且邻近第二侧表面并且与第二侧表面绝缘;

使用第三多晶硅沉积在衬底上方形成第三多晶硅层;

移除第三多晶硅层中的一些,以便留下第三多晶硅层的块,该第三多晶硅层的块在源极区上方并且与源极区绝缘;以及

在与第二多晶硅层的块相邻的衬底中形成漏极区。

通过查看说明书、权利要求书和附图,本发明的其他目的和特征将变得显而易见。

附图说明

图1A至图1C是示出形成隔离区的步骤的侧剖视图。

图2A至图2E是示出形成存储器单元的步骤的侧剖视图。

图3A至图3C是示出用于形成隔离区的另选实施方案的步骤的侧剖视图。

图4A至图4D是示出根据第一另选实施方案的形成存储器单元的步骤的侧剖视图。

图5A至图5C是示出根据第二另选实施方案的形成存储器单元的步骤的侧剖视图。

图6A至图6D是示出根据第三另选实施方案的形成存储器单元的步骤的侧剖视图。

图7至图10是分别示出具有带有平面上表面的浮栅的图2E、图4D、图5C和图6D的存储器单元的侧剖视图。

具体实施方式

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