[发明专利]等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备

说明书

一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理装置，其中，用于等离子体处理设备的射频电极组件包括：基座，所述基座内设置有第一流体通道，所述第一流体通道连接第一流体源；位于所述基座上的静电夹盘，所述静电夹盘上用于放置待处理基片；位于所述静电夹盘外围的聚焦环，在所述聚焦环内具有至少一空腔，每个空腔内设置至少一个温控器件设置在所述空腔中，以控制所述聚焦环的温度。所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物的分布进行分区域局部地调节。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备。

背景技术

在半导体制造技术领域，经常需要对待处理基片进行等离子体处理。所述对待处理基片进行等离子体处理的过程需要在等离子体处理设备内进行。

等离子体处理设备包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有用于承载待处理基片的承载台，所述承载台通常包括基座以及设置在基座上方用于固定基片的静电夹盘。

然而，现有的等离子体处理设备难以调节待处理基片边缘区域的聚合物分布。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备，所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物分布进行调节。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种用于等离子体处理设备的射频电极组件，包括：基座，所述基座内设置有第一流体通道，所述第一流体通道连接第一流体源；位于所述基座上的静电夹盘，所述静电夹盘上用于放置待处理基片；位于所述静电夹盘外围的聚焦环，在所述聚焦环内具有至少一空腔，每个空腔内设置至少一个温控器件，以控制所述聚焦环的温度。

可选地，所述温控器件是热电模块。

可选地，多个温控器件设置在一个空腔中。

可选地，所述聚焦环内设有两个或两个以上的空腔，每个所述空腔内分别设有一个温控器件。

可选地，所述射频电极组件还包括位于所述基座周围的热传导环，所述热传导环位于所述聚焦环下方，且所述热传导环至少部分包围基座，所述热传导环内设置有第二流体通道，所述第二流体通道连接第二流体源，所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导。

可选地，所述热传导环与基座之间具有间隙。

可选地，所述间隙的宽度大于或者等于0.5毫米。

可选地，所述间隙内填充有隔热材料层；所述隔热材料层的材料包括：特氟龙或聚醚酰亚胺或聚醚醚酮或聚酰亚胺。

可选地，还包括：位于所述聚焦环与所述热传导环之间的导热耦合环；位于所述导热耦合环与所述热传导环之间的导热结构；包围所述热传导环的底部接地环；位于所述底部接地环与所述热传导环之间的绝缘环，所述绝缘环围绕所述热传导环。

可选地，所述导热耦合环的材料包括：氧化铝或者石英。

可选地，还包括：位于基座下方的底部平板。

可选地，所述底部平板与热传导环之间相互连接，或者，所述底部平板与热传导环之间相互分立。

可选地，所述第二流体通道沿周向依次包括N个区，N是大于等于1的自然数，第二流体通道的第一区连接流体输入口，第二流体通道的第N区连接流体输出口，所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道，从流体输出口流出第二流体通道；所述静电夹盘包括第一承载面，所述第一承载面用于承载待处理基片。

可选地，沿垂直于所述第一承载面的方向上，第二流体通道每个区的尺寸相等；第二流体通道每个区顶部到聚焦环底部的距离均相等。