[发明专利]一种电介质加载D-dot电场测量传感器

权利要求书

1.一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，包括棒状偶极子(1)、电介质加载层(2)；

所述棒状偶极子(1)的各极子由金属材料制成的圆柱形构成；

所述电介质加载层(2)是一种横截面为圆环形的旋转结构，与棒状偶极子(1)相配合，且电介质加载层(2)的圆环形横截面内径与棒状偶极子(1)的半径相同；

所述的棒状偶极子(1)与电介质加载层(2)可拆卸，并通过更换不同轮廓面的电介质加载层(2)以等效具有不同轮廓面、不同测量特点的金属D-dot传感器。

2.如权利要求1所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，所述电介质加载层(2)的长度小于或等于棒状偶极子(1)的长度。

3.如权利要求1所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，所述电介质加载层(2)的横截面圆环形外径为常数，或者沿棒状偶极子(1)的极子长度方向变化。

4.如权利要求1所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，所述电介质加载层(2)的电介质材料相对介电常数的取值范围为1ε_rd10，相对磁导率为1。

5.如权利要求1所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，所述的棒状偶极子(1)的径长比不大于1/50，且棒状偶极子(1)加工完成后可作为一系列介质加载D-dot电场测量传感器的基础组成单元。

6.如权利要求1所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，电介质加载层(2)的外径与内径之比小于为电介质加载层(2)材料的相对介电常数。

7.如权利要求1-6任一权利要求所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，所述电介质加载层(2)外轮廓面包括但不限于圆柱状、半球状、渐近圆锥状、圆锥状等。

8.如权利 要求7所述的一种电介质加载D-dot电场测量传感器，其特征在于，对于单极子传感器同样适用。