[发明专利]具有直线形金属焊线的半导体封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201910599541.3 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN112185824A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 蔡汉龙;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/49;H01L23/31 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 线形 金属 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有直线形金属焊线的半导体封装结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供晶圆,所述晶圆包括芯片、切割道、位于所述芯片表面的第一焊盘及位于所述切割道表面的第二焊盘;
采用焊线工艺,通过金属焊线连接所述第一焊盘及第二焊盘,其中,所述金属焊线包含直线形金属焊线及曲线形金属焊线,且所述直线形金属焊线与所述第一焊盘相接触形成第一焊点,所述曲线形金属焊线与所述第二焊盘相接触形成第二焊点;
形成封装层,所述封装层覆盖所述晶圆表面及金属焊线,其中,所述封装层包括第一封装区及第二封装区,所述第一封装区覆盖所述芯片表面及直线形金属焊线,所述第二封装区覆盖所述第一封装区、切割道及曲线形金属焊线;
减薄所述封装层,以显露位于所述第一封装区中的所述直线形金属焊线;
沿所述切割道对所述晶圆进行切割,以获得独立的所述芯片。
2.根据权利要求1所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:所述直线形金属焊线与所述芯片表面的夹角范围包括45°~90°。
3.根据权利要求1所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:减薄所述封装层的方法包括化学机械研磨法。
4.根据权利要求1所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:对所述晶圆进行切割的方法包括激光切割法及刀片切割法中的一种或组合。
5.根据权利要求1所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:所述金属焊线包括Cu线、Au线、Cu合金线、Au合金线及Cu/Au合金线中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:所述封装层包括聚酰亚胺封装层、硅胶封装层以及环氧树脂封装层中的一种。
7.一种具有直线形金属焊线的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:
芯片,所述芯片表面包括焊盘;
直线形金属焊线,所述直线形金属焊线与所述焊盘相接触形成焊点,其中,所述直线形金属焊线包括直立线形金属焊线及倾斜线形金属焊线中的一种或组合;
封装层,所述封装层覆盖所述芯片表面及直线形金属焊线,且所述封装层显露所述直线形金属焊线。
8.根据权利要求7所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构,其特征在于:所述倾斜线形金属焊线与所述芯片表面的夹角范围介于45°~90°之间,包括45°。
9.根据权利要求7所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构,其特征在于:所述直线形金属焊线包括Cu线、Au线、Cu合金线、Au合金线及Cu/Au合金线中的一种或组合。
10.根据权利要求7所述的具有直线形金属焊线的半导体封装结构,其特征在于:所述封装层包括聚酰亚胺封装层、硅胶封装层以及环氧树脂封装层中的一种。
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