[发明专利]射频电极组件和等离子体处理设备

权利要求书

1.一种用于等离子体处理设备的射频电极组件，其特征在于，包括：

基座，所述基座内设置有第一流体通道，所述第一流体通道连接第一流体源；

位于所述基座上的静电夹盘，所述静电夹盘上用于放置待处理基片；

位于所述静电夹盘外围的聚焦环；

位于所述基座周围的热传导环，所述热传导环位于所述聚焦环下方，且所述热传导环至少部分包围基座，所述热传导环内设置有第二流体通道，所述第二流体通道连接第二流体源，所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导；

所述热传导环包括位于所述聚焦环下方的第一环部和由所述第一环部延伸至所述基座下方的第二环部；

所述热传导环与基座之间具有间隙；所述间隙内填充有隔热材料层；

位于所述聚焦环与所述热传导环之间的导热耦合环；位于所述导热耦合环与所述热传导环之间的导热结构；包围所述热传导环的底部接地环；位于所述底部接地环与所述热传导环之间的绝缘环，所述绝缘环围绕所述热传导环；

所述第二流体通道沿周向依次包括N个区，N是大于等于1的自然数，所述第二流体通道的第一区连接流体输入口，所述第二流体通道的第N区连接流体输出口，所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道，从流体输出口流出第二流体通道；所述静电夹盘包括第一承载面，所述第一承载面用于承载待处理基片；

沿垂直于所述第一承载面的方向上，第二流体通道的每个区尺寸相等，第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小；

或；

沿垂直于所述第一承载面的方向上，第二流体通道的每个区尺寸相等，第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小，所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离

或；

沿垂直于所述第一承载面的方向上，第二流体通道第一区至第二流体通道第N区的尺寸依次增加；所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等；第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小；

或；

沿垂直于所述第一承载面的方向上，第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区的尺寸依次增加，所述第二流体通道第N区的尺寸小于第二流体通道第N-1区的尺寸；所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等；第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小，所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。

2.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，所述间隙的宽度大于或者等于0.5毫米。

3.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，所述隔热材料层的材料包括：特氟龙或聚醚酰亚胺或聚醚醚酮或聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，所述导热耦合环的材料包括：氧化铝或者石英。

5.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，还包括：位于基座下方的底部平板。

6.根据权利要求5所述的射频电极组件，其特征在于，所述底部平板与热传导环之间相互连接；或者，所述底部平板与热传导环之间相互分立。

7.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部呈圆滑式上升或者阶梯式上升。

8.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，所述第二流体通道的圈数为1圈或者大于1圈。

9.根据权利要求1所述的射频电极组件，其特征在于，还包括：测量单元，所述测量单元用于测量在待处理基片边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸；当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸大于目标尺寸时，使第二流体源的温度升高，当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸小于目标尺寸时，使第二流体源的温度降低。