[发明专利]一种高压偏置电路的启动电路在审
| 申请号： | 201910601415.7 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110333750A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 唐盛斌 | 申请（专利权）人： | 苏州源特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215024 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 启动电路 偏置电路 工艺器件 偏置电压端口 电流建立 高压电阻 偏置电压 启动电流 限流电阻 偏置点 偏置管 简并 嵌位 电路 反馈 | ||
1.一种高压偏置电路的启动电路，其特征在于，包括：启动偏置管、限流电阻、反馈PMOS管、嵌位PMOS管及启动电流产生管；
所述启动偏置管的漏极与所述反馈PMOS管的漏极、所述启动电流产生管的栅极，以及所述嵌位PMOS管的漏极、栅极连接；
所述嵌位PMOS管的源极与所述反馈PMOS管的源极、启动电流产生管的源极连接；
所述启动偏置管的源极与所述限流电阻的第一端口连接。
2.根据权利要求1所述的一种高压偏置电路的启动电路，其特征在于，包括：电源输入正端口、电源输入负端口、启动偏置电压端口、反馈偏置电压端口、启动电流输出端口；
所述启动偏置管的栅极与所述启动偏置电压端口连接；
所述嵌位PMOS管的源极、所述反馈PMOS管的源极、启动电流产生管的源极相连接的一端与所述电源输入正端口连接；
所述启动电流产生管的漏极和所述启动电流输出端口连接；
所述限流电阻的第二端口与所述电源输入负端口连接；
所述反馈PMOS管的栅极与所述反馈偏置电压端口连接。
3.根据权利要求2所述的一种高压偏置电路的启动电路，其特征在于，还包括：关断PMOS管；所述关断PMOS管的栅极与所述启动偏置管的栅极、所述启动偏置电压端口连接；所述关断PMOS管的源极与所述启动电流产生管的漏极、所述启动电流输出端口连接；所述关断PMOS管的漏极与所述限流电阻的第二端口、所述电源输入负端口连接。
4.根据权利要求3所述的一种高压偏置电路的启动电路，其特征在于，所述启动偏置管为N型沟道的高压MOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的一种高压偏置电路的启动电路，其特征在于，所述反馈PMOS管、所述嵌位PMOS管、所述启动电流产生管均为P型沟道的高压MOS晶体管。
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