[发明专利]一种等离子处理装置及其方法

说明书

本发明公开了一种等离子处理装置及其方法，所述等离子处理装置包含：一真空反应腔，所述真空反应腔的下方还设置一真空泵，用于将反应副产物排出所述真空反应腔，所述等离子处理装置包含：多个安装紧固件，其用于将所述真空泵固定在所述真空反应腔腔体上；至少一个缓冲装置，通过所述安装紧固件固定在所述真空泵和所述真空反应腔的腔体之间，所述缓冲装置设有形变空间，所述缓冲装置通过所述形变空间产生位移变形以吸收所述真空泵的部分动能。其优点是：在等离子处理装置突然发生故障时，缓冲装置可吸收较多的真空泵动能，使真空反应腔腔体接收的真空泵残余动能大大减小，有效地保护了真空反应腔腔体，减小了安全事故发生的可能性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种等离子处理装置及其方法。

背景技术

等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。举例来说，电容性等离子反应器已经被广泛地用来加工半导体基片和显示器平板，在电容性等离子反应器中，当射频功率被施加到二个电极之一或二者时，就在一对平行电极之间形成电容性放电。

在半导体基片处理过程中，基片处理产生的反应副产物也可能会随之停留在真空反应腔内。举例来说，反应副产物可能充满真空反应腔下方的处理区域内部或外面的区域。若反应副产物到达这些区域，则这些区域可能随之发生腐蚀、淀积或者侵蚀，这会造成反应腔内部的颗粒玷污，进而降低等离子处理装置的重复使用性能，并可能会缩短反应腔或反应室零部件的工作寿命。反应副产物过多会影响等离子处理装置对半导体基片的进一步处理，容易掺有杂质。通常来说，业内人士普遍采用在真空反应腔外接一个真空泵，用于将反应副产物及时排出真空反应腔。

现有的等离子处理装置一般是直接通过多个安装紧固件将真空泵固定在真空反应腔腔体上，或者通过转接板(板状或环状)固定在真空反应腔腔体上。但是，在等离子处理装置刻蚀半导体基片或等离子平板加工过程中，真空泵的转子一般保持高转速转动，在真空泵转子高速运转的情况下，如果突然发生故障，真空泵巨大的动能会通过安装紧固件或转接板直接传递到真空反应腔腔体上。如果突然发生故障，真空泵泵转子巨大的动能会通过安装紧固件直接传递到真空反应腔腔体上。真空泵骤停，泵转子巨大的动能容易使真空反应腔腔体受到冲击而破坏，或者由于真空泵产生的动能过大，使安装紧固件或转接板断裂，导致真空泵泵体携带较大的动能飞出，容易造成生产事故，且容易造成人身安全问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子处理装置及其方法，将真空反应腔、射频电源、真空泵、安装紧固件及缓冲装置等相结合，利用缓冲装置及安装紧固件将真空泵固定在真空反应腔腔体上，使得等离子处理装置突然发生故障时，真空泵的动能可以通过缓冲装置向安装紧固件与真空反应腔腔体传递。通过缓冲装置的设计，可吸收较多的真空泵动能，使真空反应腔腔体接收的真空泵残余动能大大减小，有效地保护了真空反应腔腔体，减小了安全事故发生的可能性。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子处理装置，包含一真空反应腔，所述真空反应腔内包含一个用于支撑基片的基座，所述真空反应腔的下方还设置一真空泵，用于将反应副产物排出所述真空反应腔，所述等离子处理装置包含：

多个安装紧固件，用于将所述真空泵固定在所述真空反应腔的腔体上；

至少一个缓冲装置，通过所述安装紧固件固定在所述真空泵和所述真空反应腔的腔体之间，所述缓冲装置设有形变空间，所述缓冲装置通过所述形变空间产生位移变形以吸收所述真空泵的部分动能。

优选地，所述缓冲装置由塑性材料或钢或铝或铜制成。

优选地，所述缓冲装置为垫片。