[发明专利]MRAM器件及其制造方法及包括MRAM的电子设备

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储MRAM器件，包括：

第一数量的第一MRAM单元和第二数量的第二MRAM单元，

其中，第一MRAM单元具有第一切换电流密度和/或切换磁场强度，第二MRAM单元具有小于第一切换电流密度和/或切换磁场强度的第二切换电流密度和/或切换磁场强度，

其中，至少一部分第二MRAM单元被预先设置为不同的数据状态，以用作检测环境扰动的检测单元。

2.根据权利要求1所述的MRAM器件，其中，MRAM单元包括磁性隧道结MTJ结构。

3.根据权利要求1所述的MRAM器件，其中，MRAM单元是自旋转移矩STT-MRAM。

4.根据权利要求2所述的MRAM器件，所述MTJ结构是自旋转移矩STT结构。

5.根据权利要求3或4所述的MRAM器件，其中，所述第一MRAM单元的STT效率与所述第二MRAM单元的STT效率不同。

6.根据权利要求4所述的MRAM器件，其中，第一MRAM单元中的MTJ结构的尺寸大于第二MRAM单元中的MTJ结构的尺寸。

7.根据权利要求4所述的MRAM器件，其中，第二MRAM单元中的MTJ结构的边缘区域带有损伤。

8.根据权利要求7所述的MRAM器件，其中，第一MRAM单元中的MTJ结构的边缘区域也带有损伤。

9.根据权利要求8所述的MRAM器件，其中，第一MRAM单元中的MTJ结构的尺寸大于第二MRAM单元中的MTJ结构的尺寸。

10.根据权利要求9所述的MRAM器件，其中，第一MRAM单元的STT效率的数值比第二MRAM单元的STT效率的数值小。

11.根据权利要求7所述的MRAM器件，其中，第一MRAM单元中的MTJ结构的边缘区域无损伤。

12.根据权利要求11所述的MRAM器件，其中，第一MRAM单元中的MTJ结构的尺寸大于或等于第二MRAM单元中的MTJ结构的尺寸。

13.根据权利要求7或8所述的MRAM器件，其中，各MTJ结构包括依次叠置的固定层、隧道势垒层和自由层，其中所述损伤在自由层中。

14.根据权利要求1所述的MRAM器件，还包括第三数量的第三MRAM单元，第三MRAM单元具有小于第二切换电流密度和/或磁场强度的第三切换电流密度和/或切换磁场强度，

其中，至少一部分第三MRAM单元被预先设置为不同的数据状态，以用作检测环境扰动的检测单元。

15.根据权利要求14所述的MRAM器件，其中，

所述第三MRAM单元是自旋转移矩STT-MRAM，或者

所述第三MRAM单元包括磁性隧道结MTJ结构，所述MTJ结构是STT结构。

16.根据权利要求15所述的MRAM器件，其中，所述第一MRAM单元的STT效率的数值比所述第二MRAM单元的STT效率的数值小，所述第二MRAM单元的STT效率的数值比所述第三MRAM单元的STT效率的数值小。

17.根据权利要求1所述的MRAM器件，还包括：

存储器控制器，用于基于所述检测单元中数据状态的改变，确定是否发生环境扰动。

18.根据权利要求1所述的MRAM器件，其中，检测单元被配置为在正常操作期间仅允许从中读取数据状态，而不允许对其进行写入。