[发明专利]具有减小的应力敏感度的磁阻传感器

权利要求书

1.一种磁阻传感器，包括：

晶种层；

覆盖层；以及

磁性叠层，设置在所述晶种层和所述覆盖层之间，所述磁性叠层包括：

第一非磁性层；

第二非磁性层；以及

磁性自由双层，设置在所述第一非磁性层和所述第二非磁性层之间，所述磁性自由双层包括第一磁性自由层，所述第一磁性自由层耦合至第二磁性自由层，其中所述第一磁性自由层耦合至所述第一非磁性层，并且所述第二磁性自由层耦合至所述第二非磁性层，

其中所述第二非磁性层设置在所述磁性自由双层与所述晶种层之间、并直接接触所述磁性自由双层以及所述晶种层，并且

其中所述第二非磁性层包括非磁性材料，该非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。

2.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述非磁性材料选自铜、镁、铟、铋、锡和锌中的一种。

3.根据权利要求2所述的磁阻传感器，其中所述第一非磁性层包括选自铜、镁、铟、铋、锡和锌中的一种的非磁性材料。

4.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层均由选自钴、镍、铁和它们的合金的材料制成。

5.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述第一磁性自由层由钴-铁(CoFe)制成，并且所述第二磁性自由层由镍-铁(NiFe)制成。

6.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述磁性叠层还包括：

磁性参考系统，包括固定层和参考层，所述磁性参考系统耦合至所述第一非磁性层。

7.根据权利要求6所述的磁阻传感器，其中所述参考层耦合至所述第一非磁性层。

8.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中：

所述第一非磁性层包括非磁性材料，该非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。

9.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中：

所述第二非磁性层包括非磁性材料，该非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的5％以内。

10.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中：

所述第一非磁性层包括非磁性材料，该非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的5％以内。

11.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中：

所述第二非磁性层的所述非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层的原子半径的10％以内。

12.根据权利要求11所述的磁阻传感器，其中所述第一非磁性层的非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层的原子半径的10％以内。

13.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述第一非磁性层具有的厚度不同于所述第二非磁性层的厚度。

14.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层均被配置为基于撞击在其上的磁场来改变其磁化方向。