[发明专利]散热组件的制造方法在审
| 申请号： | 201910603058.8 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN112185819A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 吴思贤;李纮屹 | 申请（专利权）人： | 华通电脑股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 隆翔鹰 |
| 地址： | 中国台湾桃园市芦*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 组件 制造 方法 | ||
1.一种散热组件的制造方法，包括：
提供衬底，所述衬底具有外表面；
形成图案化干膜在所述外表面上，其中所述图案化干膜由多个微孔图案所构成；
形成导热层在所述外表面的所述多个微孔图案以外的区域上；以及
移除所述图案化干膜，以形成多个微孔，其中所述导热层围绕所述多个微孔。
2.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法，其特征在于，形成所述导热层的方法包括电镀工艺。
3.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法，其特征在于，所述衬底包括：
核心层；
导电层，形成在所述核心层上，其中所述导电层具有第一表面与相对于所述第一表面的第二表面，且所述第一表面构成所述外表面。
4.根据权利要求3所述的散热组件的制造方法，其特征在于，所述导电层的厚度范围为2微米至5微米。
5.根据权利要求3所述的散热组件的制造方法，其特征在于，提供所述衬底与形成所述图案化干膜之间进一步包括：
移除部分所述导电层。
6.根据权利要求3所述的散热组件的制造方法，其特征在于，移除被所述多个微孔所暴露出的所述导电层之后进一步包括：
形成绝缘膜在所述衬底上，其中所述绝缘膜覆盖所述导热层与所述多个微孔；以及
移除所述核心层，以暴露出所述导电层的所述第二表面。
7.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法，其特征在于，所述多个微孔的孔径基本上相同。
8.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法，其特征在于，每一所述多个微孔具有上孔径以及下孔径，所述上孔径的尺寸与所述下孔径的尺寸基本上相同。
9.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法，其特征在于，所述导热层构成所述多个微孔的侧壁。
10.根据权利要求1所述的散热组件的制造方法，其特征在于，所述多个微孔图案以阵列方式排列于所述衬底上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
