[发明专利]高效率氧化型垂直共振腔面发射激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910603114.8 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110854676A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李亨株 | 申请（专利权）人： | 光电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 安玉;蒋洪之 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高效率 氧化 垂直 共振 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
1.一种氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，上部电极和上部分布式布拉格反射器之间具有导电性电流扩散层，所述导电性电流扩散层使具有860±10nm的峰值波长的激光透射。
2.根据权利要求1所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述导电性电流扩散层为非氧化性阻挡层。
3.根据权利要求2所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述非氧化性阻挡层为无铝层。
4.根据权利要求1所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述电流扩散层为GaP层。
5.根据权利要求1所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述GaP层包含金属和/或非金属掺杂物。
6.根据权利要求5所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述掺杂物为选自镁、锌、碳中的一种以上。
7.根据权利要求5所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述GaP层具有1μm以上的厚度。
8.根据权利要求1所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直共振腔面发射激光器包含下部电极、基板、下部分布式布拉格反射器、活性层、上部分布式布拉格反射器、上部电极及氧化层。
9.根据权利要求8所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述活性层由GaAs量子阱和AlGaAs量子阻挡层组成。
10.根据权利要求8所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述GaP层的厚度为3μm。
11.根据权利要求8所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述氧化层位于上部p-DBR的层之间。
12.根据权利要求8所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述氧化型垂直共振腔面发射激光器在10～40mA的电流下工作。
13.根据权利要求8所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述上部电极为选自氧化铟锡(ITO)、ZnO或AZO中的透明电极。
14.根据权利要求8所述的氧化型垂直共振腔面发射激光器，其特征在于，所述氧化型垂直共振腔面发射激光器的电流扩散层上还包含防反射层。
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