[发明专利]一种SOI晶圆的加工方法在审
| 申请号： | 201910603128.X | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110289209A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 程禹;李彦庆;刘佳晶;陈艳明;刘佳 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 长春市吉利专利事务所 22206 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 衬底 键合 退火 半成品 清洗 加工 半导体制造领域 化学机械平坦化 键合表面 晶圆键合 气泡问题 有效解决 成品率 氧化层 剪边 减薄 制备 | ||
1.一种SOI晶圆的加工方法，其特征在于，包括如下步骤，且以下步骤顺次进行：
①对第一衬底与第二衬底进行清洗；
②对清洗后的第一衬底进行剪边处理，剪边宽度为1mm～3mm，深度为50um～300um；
③在第一衬底和第二衬底的待键合表面分别制备出一层厚度为10nm～1000nm的氧化层；
④第一衬底为顶部晶圆，第二衬底为底部晶圆，室温下完成键合，得到键合晶圆；
⑤对键合晶圆进行退火，退火温度为300℃～400℃；
⑥对退火后的键合晶圆进行减薄至顶部晶圆厚度为12um～50um，得到SOI晶圆半成品；
⑦对SOI晶圆半成品中的顶部晶圆进行化学机械研磨，使晶圆表面平坦化，形成SOI晶圆。
2.根据权利要求1所述的SOI晶圆的加工方法，其特征在于，所述步骤①中的清洗过程如下：设置清洗机台水流量100mL/min，清洗时间为45s，先清洗第一衬底和第二衬底的背面，经翻转后清洗第一衬底和第二衬底的正面。
3.根据权利要求1所述的SOI晶圆的加工方法，其特征在于，所述步骤③采用热氧化法在第一衬底和第二衬底的待键合表面分别生长一层厚度为10nm～1000nm的二氧化硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的SOI晶圆的加工方法，其特征在于，所述步骤③采用等离子体化学气相沉淀法在第一衬底和第二衬底的待键合表面分别沉淀一层厚度为10nm～1000nm的二氧化硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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