[发明专利]一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：

为BaWO₄基微波介质陶瓷材料，烧结温度850℃～900℃，应用在LTCC领域；介电常数5.8～9.0，损耗低至3.70×10^-4，频率温度系数-30～-10ppm/℃；

该低温烧结微波介质陶瓷材料的化学通式为BaWO₄-xM₂CO₃-yBaO-zB₂O₃-wSiO₂，0x≤0.2mol，0≤y≤0.05mol，0z≤0.2mol，0w≤0.1mol，其中M为Li⁺、K⁺或Na⁺碱金属离子，通过固相烧结法制得；

该BaWO₄基微波介质陶瓷材料，当y＝0时，在850℃～900℃下烧结后均为BaWO₄相；当y不等于0时，主晶相为BaWO₄相，次晶相为BaSi₂O₅相。

2.如权利要求1所述低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，步骤如下：

步骤1：将原料BaCO₃，WO₃，M₂CO₃，B₂O₃和SiO₂按照化学通式BaWO₄-xM₂CO₃-yBaO-zB₂O₃-wSiO₂，0x≤0.2mol，0≤y≤0.05mol，0z≤0.2mol，0w≤0.1mol进行配料，其中M为碱金属离子Li⁺，K⁺或Na⁺；

步骤2：将步骤1配好的粉体装入尼龙球磨罐，研磨介质为锆球和去离子水，按照粉料：锆球：去离子水质量比为1:5:1～1:5:2进行球磨，行星球磨4～7小时，取出后在80～120℃烘箱中烘干，以40～60目筛网过筛，后在600～800℃大气气氛中预烧2～4小时；

步骤3：将步骤2预烧后的粉体，再次按照粉体：锆球：去离子水质量比为1:5:1～1:5:2进行球磨，行星球磨混合3～6小时，取出烘干后，向得到的粉体中添加粘结剂造粒；

步骤4：将步骤3制得产物压制成型，在400～500℃排胶后在850℃～900℃大气气氛中烧结0.5～2小时，即可制得BaWO₄基的烧结微波介质陶瓷材料。

3.如权利要求2所述低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤3采用的粘结剂为丙烯酸溶液。