[发明专利]一种相对电容比的检测方法

说明书

本发明公开了一种相对电容比的检测方法。本发明包括如下步骤：步骤(1)在各容性高压套管的末屏端耦合读取对地电流值，并选取其中一个点作为参照基准点C_O，其余各点作为监测点C_D；步骤(2)选取同一时间的对地电流值，计算相对电容比C_OR；步骤(3)根据一次高压变化率相同原则，根据相对电容比C_OR的变化判断相对电容的稳定性；如果相对电容比C_OR不变，则代表该套管的相对电容稳定性好，说明该监测点的绝缘状态佳；若相对电容比C_OR发生变化，则其稳定性明显变差，说明其套管其绝缘状态可能发生劣化。本发明解决了带电或者在线检测中无法通过电容变化判断介质绝缘状态的问题。

技术领域

本发明属于高压检测技术领域，具体涉及一种相对电容比的检测方法。

背景技术

容性套管是高压绝缘检测载体，其电容变化在一定程度上可反映其绝缘状态。目前，电容值检测是反映介质绝缘状态的主要方法之一，其原理是将试品与无介损的标准电容置于完全同一高压波形下，并比较两者之间的相对电容。

在停电检测中，电容值的检测一般属于常规检测项目。但在电网的带电或在线检测中，由于无法接入无损的标准电容，一般只能在末屏接地端耦合读取对地容性电流值，所以无法直接测量出电容值。

发明内容

本发明的目的就是针对现有技术的不足，提供一种相对电容比的检测方法，该检测方法解决了带电或者在线检测中无法通过电容变化判断介质绝缘状态的问题。

本发明旨在通过本站同压三相以及直联站同相不同监测点，进行同步检测套管末屏对地电流，并计算出各套管的相对电容比，同时监测这些相对电容比的变化，从而达到对绝缘状态的监测功能。

所述的相对电容比为各监测点与参考基准点在同一时刻的电容比(归一化)。假设选取其中一个监测点作为参考基准点并记为C_O，其余监测点记为C_D。以C_O为参考基准，针对其余监测点C_D，每个监测点C_D在同一时刻分别与C_O的比值进行归一化处理，计算方式为：

C_OR＝(C_(D,t)/C_(O,t)-C_(D,1)/C_(O,1))/(C_(D,1)/C_(O,1))

所述的C_OR为各监测点与基准点的相对电容比，C_(D,t)为监测点D在t时刻的电容值，C_(O,t)为参考基准点O在t时刻的电容值，C_(D,1)为监测点D的首次电容值，C_(O,1)为参考基准点O的首次电容值。

在交流电路中，电容中的电流的计算公式为I＝2πfCU，那么可推算出C＝I/2πfU，则C₁/C₂＝(I₁/2πfU)/(I₂/2πfU)＝I₁/I₂。

根据上述比值关系，可知C_(D,t)/C_(O,t)＝I_(D,t)/I_(O,t)且C_(D,1)/C_(O,1)＝I_(D,1)/I_(O,1)。