[发明专利]芯片封装体结构的制造方法在审

申请号：	201910603971.8	申请日：	2019-07-05
公开（公告）号：	CN110739229A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	郑心圃;陈硕懋;许峯诚;林柏尧	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	谢强;黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	重分布结构基底导电凸块承载接合模塑层去除芯片封装体结构表面去除第二表面第一表面芯片结构制造
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【说明书】：

一种芯片封装体结构的制造方法，包括形成一第一重分布结构于一第一承载基底上。通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至第一表面。形成一第一模塑层于第一重分布结构上。去除第一承载基底。形成一第二导电凸块于第二表面上。形成一第二重分布结构于一第二承载基底上。将第一重分布结构接合至第三表面。形成一第二模塑层于第二重分布结构上。去除第二承载基底。从第四表面去除第二重分布结构的一部分。形成一第三导电凸块于第四表面上。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种芯片封装体结构及其制造方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用，例如个人电脑，手机、数字数码相机以及其他电子设备。通常通过在半导体基底上按序沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，并使用光刻工艺及蚀刻工艺图案化各种材料层，以在其上形成电路部件及元件来制造半导体装置。

通常许多集成电路制造于半导体芯片上。半导体晶圆可单体分割成芯片。芯片可进行封装，并且已开发了各种用于封装的技术。

发明内容

一种芯片封装体结构的制造方法包括：形成一第一重分布结构于一第一承载基底上，其中第一重分布结构具有一第一表面及一第二表面；通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至第一表面；形成一第一模塑层于第一重分布结构上，且围绕芯片结构；去除第一承载基底；形成一第二导电凸块于第二表面上；形成一第二重分布结构于一第二承载基底上，其中第二重分布结构具有一第三表面及相对于第三表面且面向第二承载基底的一第四表面；通过第二导电凸块将第一重分布结构接合至第三表面；形成一第二模塑层于第二重分布结构上，且围绕第一模塑层、第一重分布结构以及芯片结构；去除第二承载基底；从第四表面去除第二重分布结构的一部分；以及形成一第三导电凸块于第四表面上。

一种芯片封装体结构的制造方法包括：通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至一中介基板，其中中介基板包括一核心层及穿过核心层并电性连接至芯片结构的一导电通孔结构；形成一第一模塑层于中介基板上并围绕芯片结构；形成一第二导电凸块于中介层基板上，其中中介基板位于第二导电凸块与芯片结构之间；形成一重分布结构于承载基底上，其中重分布结构具有一第一表面及一第二表面；通过第二导电凸块将中介基板接合至第一表面；形成一第二模塑层于重分布结构上并围绕第一模塑层、中介基板以及芯片结构；去除承载基底；从第二表面去除重分布结构的一部分；以及形成一第三导电凸块于第二表面上。

一种芯片封装体结构包括：一第一重分布结构，具有一第一表面及一第二表面，其中第一重分布结构包括一第一接垫及一第二接垫，第一接垫与第一表面相邻，且第二接垫与第二表面相邻；一芯片封装体，通过一第一凸块接合至第一接垫，其中第一接垫的第一宽度沿远离芯片封装体的一第一方向上减小，而第二接垫的一第二宽度沿第一方向上减小；以及一第二导电凸块位于第二接垫上。

附图说明

图1A至图1G是示出根据一些实施例的不同制造阶段的芯片封装体结构制造方法剖面示意图。

图2是示出根据一些实施例的芯片封装体结构剖面示意图。

图3是示出根据一些实施例的芯片封装体结构剖面示意图。

图4A至图4F是示出根据一些实施例的不同制造阶段的芯片封装体结构制造方法剖面示意图。

图5是示出根据一些实施例的芯片封装体结构剖面示意图。

图6是示出根据一些实施例的芯片封装体结构剖面示意图。

附图标记说明：

100 芯片封装体

200、300、300A、300B、400、500、600、600A、600B 芯片封装体结构

110、210、250 承载基底

120、220 重分布结构