[发明专利]基于层状α-MoO₃纳米片的夹层结构及其制备方法在审

申请号：	201910604069.8	申请日：	2019-07-05
公开（公告）号：	CN110364622A	公开（公告）日：	2019-10-22
发明（设计）人：	何军;王俊俊;王峰	申请（专利权）人：	国家纳米科学中心
主分类号：	H01L45/00	分类号：	H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司 11002	代理人：	钱云
地址：	100190 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	纳米片底电极顶电极夹层结构制备耐受性阻变存储器件不直接接触存储窗口二维结构上下两侧活性层夹芯层宽带隙合成表现
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【权利要求书】：

1.一种基于层状α-MoO₃纳米片的夹层结构，其特征在于，包括层状α-MoO₃纳米片、顶电极和底电极，其中所述层状α-MoO₃纳米片为夹芯层，所述顶电极和所述底电极分别位于所述层状α-MoO₃纳米片的上下两侧；

所述层状α-MoO₃纳米片、所述顶电极和所述底电极有重叠的区域，且所述顶电极和所述底电极不直接接触。

2.根据权利要求1所述的夹层结构，其特征在于，所述层状α-MoO₃纳米片为多层α-MoO₃纳米片，厚度范围为20～70nm。

3.根据权利要求1或2所述的夹层结构，其特征在于，所述顶电极和所述底电极均为金属电极，优选为铬金复合层，下层为铬，上层为金；更优选地，所述顶电极的铬层厚度为6～10nm，优选为8nm，金层厚度为50～80nm，优选为60nm；所述底电极的铬层厚度为2～3nm，优选为3nm，金层厚度为15～20nm,优选为20nm；

或者，所述顶电极和所述底电极均为石墨烯电极，优选地，石墨烯层数的选择范围为2～10层。

4.权利要求1～3任一项所述的夹层结构的制备方法，其特征在于，包括：利用常压物理气相沉积法在基底表面外延生长所述层状α-MoO₃纳米片。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述基底为云母、蓝宝石或硅片，优选为云母。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述常压物理气相沉积法具体包括：将所述基底和MoO₃粉末分别置于三温区管式炉的下温区和上温区，持续通入氩气，使所述MoO₃粉末在所述基底的表面外延生长成所述层状α-MoO₃纳米片。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述三温区管式炉的下温区温度为260～300℃，优选为280℃；

和/或，所述三温区管式炉的中温区温度为260～300℃，优选为280℃；

和/或，所述三温区管式炉的上温区温度为750～800℃，优选为780℃。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述通入氩气的流量为50～120sccm，优选为100sccm；

和/或，所述外延生长的时间为10～30min，优选为20min。

9.根据权利要求4～8任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：将所述层状α-MoO₃纳米片转移到事先制备好的所述底电极上，再在所得层状α-MoO₃纳米片/底电极表面制备所述顶电极；

优选地，通过PMMA转移和PPC转移将所述层状α-MoO₃纳米片转移到事先制备好的所述底电极上。

10.权利要求1～3任一项所述的夹层结构或权利要求4～9任一项所述的制备方法在阻变存储器中的应用。