[发明专利]一种自校准比较器失调电压消除电路在审

专利信息
申请号: 201910604610.5 申请日: 2019-07-05
公开(公告)号: CN110149117A 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 葛亮宏 申请(专利权)人: 成都博思微科技有限公司
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 比较器 失调电压 使能信号 输入共模电压 比较器失调 比较电压 电压消除电路 共模电压 开关单元 自校准 配置 输出信号反馈 比较输出 比较信号 电压校正 输入比较 消除电路 校准单元 信号比较 输出端 输入端 减小 抵消 电路 输出
【说明书】:

本发明公开了一种自校准比较器失调电压消除电路,包括:比较器,被配置为根据使能信号控制输入共模电压和比较电压,通过连接共模电压进行电压校正后,连接比较信号进行信号比较输出;校准单元,被配置为连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN,并根据使能信号将比较器的输出信号反馈到输入端,抵消失调电压;开关单元,被配置为通过使能信号实现共模电压和比较电压的切换输入。本发明通过开关单元和使能信号控制输入共模电压和比较电压,在进行失调电压时输入共模电压,来实现消除电路中的失调电压,在消除失调电压之后输入比较电压,进行比较器的正常比较输出。通过该电路,可以实现大幅度减小比较器失调电压,并且不影响比较器的速度。

技术领域

本发明涉及失调电压调整领域,尤其涉及一种自校准比较器失调电压消除电路。

背景技术

随着半导体工艺的发展,特别是发展到深亚微米阶段,存储器,数据接收器,模数转换器的性能越来越好,对其中关键模块比较器的要求也越来越高,其中失调电压,速度,噪声是影响到数模转换器(逐次逼近型、闪存、流水线型)性能的重要因素。

图1是一个比较器在模数转换器中的典型应用,可以明显看出,比较器的低噪声,高速度,低失调电压(Vos)对逐次逼近型模数转换器的性能具有决定性的作用。所以必须要考虑消除或减小其失调电压,本专利介绍一种自校准消除失调电压,且不对比较器的速度造成太大影响的比较器环路结构。

发明内容

本发明的目的在于,针对上述问题,提出一种自校准比较器失调电压消除电路。

一种自校准比较器失调电压消除电路,包括:比较器,被配置为根据使能信号控制输入共模电压和比较电压,通过连接共模电压进行电压校正后,连接比较信号进行信号比较输出;校准单元,被配置为连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN,并根据使能信号将比较器的输出信号反馈到输入端,抵消失调电压;开关单元,被配置为通过使能信号实现共模电压和比较电压的切换输入。

所述比较器包括:放大单元,被配置为并联的主差动对和校正差动对,所述主差动对输入端连接比较信号,校正差动对输入端连接校准单元输出信号,通过校正差动对输入端的压差抵消主差动对的失调电压;动态比较单元,被配置为动态比较器和输出锁存器,连接放大单元输出信号,用于实现电压比较输出。

所述校准单元包括:输入端Vop和Von,分别连接比较器的两个输出端OUTP和OUTN。

输出端,用于输出反馈电压到比较器;第一开关组,被配置为通过Vop输入端口信号和使能信号控制第一电荷存储电容的电荷挪移;第二开关组,被配置为通过Von输入端口信号和使能信号控制第二电荷存储电容的电荷挪移。

进一步的,一种自校准比较器失调电压消除电路,还包括设置于输出端前方的第三电荷存储电容,第三电荷存储电容与所述第一电荷存储电容、第二电荷存储电容通过充放电改变输出端反馈给比较器的电压。

所述校准单元包括相同的第一校准单元和第二校准单元,第一校准单元的Vop输入端接比较器的OUTP输出端,Von输入端接比较器的OUTN输出端;第二校准单元的Vop输入端接比较器的OUTN输出端,Von输入端接比较器的OUTP输出端。

进一步的,一种自校准比较器失调电压消除电路,所述第一开关组和第二开关组采用高阈值MOS管。电荷存储电容采用金属-氧化物-金属结构。所述开关单元包括多个开关和一个非门,通过使能信号控制开关单元实现比较器输入信号的选择。

本发明的有益效果:通过开关单元和使能信号控制输入共模电压和比较电压,在进行失调电压时输入共模电压,通过输入信号控制开关组来实现校准单元的电荷挪移,并通过比较器中校准差动对输入端的压差抵消主差动对的失调电压,来实现消除电路中的失调电压,在消除失调电压之后输入比较电压,进行比较器的正常比较输出。通过该电路,可以实现大幅度减小比较器失调电压,并且不影响比较器的速度,对噪声的影响也较小。

附图说明

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