[发明专利]混相α/δ-CsPbI3发光层及其制备方法在审
| 申请号： | 201910604845.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110416438A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 徐晓宝;曹菲;曾海波 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光层 制备 白光 捕获 白光发光二极管 稳定性问题 热处理 白色荧光 发光效率 结构组成 能带结构 有效实现 低色温 钙钛矿 宽光谱 显色性 旋涂 发光 传输 调控 | ||
1.一种混相α/δ-CsPbI3发光层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）采用CsPbI3量子点的分散液在玻璃基底上进行旋涂；
（2）对步骤（1）所述的玻璃基底在湿度为40~60%的大气环境中于120~140 ℃下热处理15~45 min。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，CsPbI3量子点为α- CsPbI3量子点。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，CsPbI3量子点的分散液采用的分散剂为正辛烷、甲苯，分散液的浓度为15mg/mL。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，旋涂转速为2000 r/min，旋涂量为40 μL。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，玻璃基底采用ITO玻璃片。
6.如权利要求1-5任一所述的方法制备的混相α/δ-CsPbI3发光层。
7.一种基于混相α/δ-CsPbI3发光层的白光发光二极管，其特征在于，由如下步骤制备：
1）采用CsPbI3量子点的分散液在旋涂好空穴注入层和空穴传输层的玻璃基底上进行旋涂；
2）对步骤（1）所述的玻璃基底在湿度为40~60%的大气环境中于120~140 ℃下热处理15~45 min。
8.如权利要求7所述的白光发光二极管，其特征在于，空穴注入层通过在洁净的玻璃基底上旋涂聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)溶液实现。
9.如权利要求7所述的白光发光二极管，其特征在于，空穴传输层通过在洁净的玻璃基底上旋涂聚[9,9-二辛基芴-共-N-[4-(3-甲基丙基)]-二苯基胺]溶液实现。
10.如权利要求7所述的白光发光二极管，其特征在于，CsPbI3量子点为α- CsPbI3量子点。
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